[实用新型]深紫外LED有效
| 申请号： | 201920461069.2 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN209729941U | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 华斌;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图案化介质 深紫外LED 量子阱层 衬底 横向电阻 均匀性 申请 发光 | ||
【权利要求书】：
1.一种深紫外LED，其特征在于，包括：
衬底，位于所述衬底上的n型半导体层；
依次位于所述n型半导体层上的量子阱层和p型半导体层；
以及位于所述n型半导体层上的N电极和位于所述p型半导体层上的P电极；
其中，所述n型半导体层包括埋在所述n型半导体层中的图案化介质层。
2.根据权利要求1所述的深紫外LED，其特征在于，所述n型半导体层包括n型GaN层，位于n型GaN层上的AlGaN层和埋在所述AlGaN层中的图案化介质层。
3.根据权利要求1所述的深紫外LED，其特征在于，所述介质层图案为不连续图案。
4.根据权利要求3所述的深紫外LED，其特征在于，所述介质层图案包括多个间隔设置的圆形。
5.根据权利要求1所述的深紫外LED，其特征在于，所述图案化介质层厚度为100nm-1000nm。
6.根据权利要求1所述的深紫外LED，其特征在于，所述量子阱层包括多个AlGaN/GaN异质结构。
7.根据权利要求1所述的深紫外LED，其特征在于，所述p型半导体层包括p型AlGaN层和位于所述p型AlGaN层上的p型GaN层。
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