[实用新型]深紫外LED

说明书

本申请涉及一种深紫外LED，包括：衬底，位于所述衬底上的n型半导体层；依次位于所述n型半导体层上的量子阱层和p型半导体层；以及位于所述n型半导体层上的N电极和位于所述p型半导体层上的P电极；其中，所述n型半导体层包括埋在所述n型半导体层中的图案化介质层。本申请所提出的深紫外LED通过设置图案化介质层增大n型半导体层的横向电阻，即可以改善量子阱层发光的均匀性又可以增大出光面积。

技术领域

本实用新型涉及LED领域，特别是涉及深紫外LED。

背景技术

深紫外LED作为光源，有别于传统的气体深紫外光源和水银深紫外光源，具有方便、高效、环保等优点。传统的深紫外LED的P电极与N电极之间一般具有两条电流扩散路径，第一条是从P电极开始纵向穿过p型氮化物层和量子阱层，再横向穿过n型氮化物层达到N电极，第二条是从P电极开始横向穿过P型氮化物层再纵向穿过量子阱层，到达N电极。但是第二条电流扩散路径由于p型氮化物层的横向电阻较大，电流扩散不佳，导致量子阱层发光不均匀。

实用新型内容

基于此，有必要针对量子阱层发光不均匀的问题，提供一种深紫外LED。

一种深紫外LED，包括：

衬底，位于所述衬底上的n型半导体层；

依次位于所述n型半导体层上的量子阱层和p型半导体层；

以及位于所述n型半导体层上的N电极和位于所述p型半导体层上的P电极；

其中，所述n型半导体层包括埋在所述n型半导体层中的图案化介质层。

在一个实施例中，所述n型半导体层包括n型GaN层，位于n型GaN层上的AlGaN层和埋在所述AlGaN层中的图案化介质层。

在一个实施例中，所述介质层图案为不连续图案。

在一个实施例中，所述介质层图案包括多个间隔设置的圆形。

在一个实施例中，所述图案化介质层厚度为100nm-1000nm。

在一个实施例中，所述图案化介质层由氧化铝、二氧化硅或者氮化硅中的一种或多种组成。

在一个实施例中，所述量子阱层包括多个AlGaN/GaN异质结构。

在一个实施例中，所述p型半导体层包括p型AlGaN层和位于所述p型AlGaN层上的p型GaN层

本申请所提出的深紫外LED通过设置图案化介质层增大n型半导体层的横向电阻，即可以改善量子阱层发光的均匀性又可以增大出光面积。

附图说明

图1为一个实施例所述提出的深紫外LED的结构图；

图2为n型半导体层的结构图；

图3为图案化介质层的俯视图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的深紫外LED作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

本实用新型中，在“形成在另一层上的层”中，可以意味着在另一层上方形成层，但不一定层与另一层直接物理或电接触(例如，可以存在一个或多个其他层在两层之间)。然而，在一些实施例中，“在......上形成”可以表示层与另一层的顶面的至少一部分直接物理接触。