[实用新型]一种基板后处理装置有效
申请号: | 201920462276.X | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN210092034U | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 王同庆;王剑;许振杰;路新春 | 申请(专利权)人: | 清华大学;天津华海清科机电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
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地址: | 100084 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基板后 处理 装置 | ||
1.一种基板后处理装置,包括:用于旋转基板的承载单元、向所述基板喷射流体的供给单元、流体收集单元以及环状挡板组件;所述挡板组件围绕所述承载单元设置且所述挡板组件内壁与所述基板边缘的距离设置成使得从该基板溅射至该挡板组件内壁的流体不会反溅至该基板表面。
2.如权利要求1所述的基板后处理装置,其特征在于,所述承载单元和所述挡板组件均位于所述流体收集单元内,所述挡板组件位于所述承载单元外侧,所述承载单元使所述基板保持水平。
3.如权利要求1所述的基板后处理装置,其特征在于,所述挡板组件内壁与所述基板边缘的水平距离为30mm至100mm。
4.如权利要求1所述的基板后处理装置,其特征在于,所述流体收集单元包括至少两个同心设置的环形腔室,以分别收集不同类型的流体。
5.如权利要求4所述的基板后处理装置,其特征在于,所述挡板组件包括至少两个同心间隔设置的环形挡板。
6.如权利要求5所述的基板后处理装置,其特征在于,所述挡板组件包括第一挡板,其具有平行于所述流体收集单元外壁的竖部以及分别从所述竖部的上部朝所述承载单元向上倾斜延伸的上斜部和朝所述承载单元向下倾斜延伸的下斜部,所述上斜部和所述下斜部将从所述基板溅射的流体引导至所述流体收集单元的第一腔室,所述竖部将从所述基板溅射的流体引导至所述流体收集单元的第二腔室,所述第一腔室位于所述第二腔室内侧。
7.如权利要求6所述的基板后处理装置,其特征在于,所述挡板组件还包括位于所述第一挡板外侧的第二挡板,其由平行于所述流体收集单元外壁的竖直部和从所述竖直部的上部朝所述承载单元向上倾斜延伸的倾斜部构成。
8.如权利要求1至7任一项所述的基板后处理装置,其特征在于,还包括用于控制所述挡板组件独立升降的挡板升降单元。
9.如权利要求8所述的基板后处理装置,其特征在于,所述挡板升降单元包括气缸、活动连板和挡板支撑杆,所述气缸的一端连接所述流体收集单元,所述气缸的另一端连接所述活动连板,所述活动连板通过所述挡板支撑杆与所述挡板组件连接以通过所述气缸带动所述挡板组件升降。
10.如权利要求1至7任一项所述的基板后处理装置,其特征在于,所述供给单元包括至少一个上表面喷淋组件和至少一个下表面喷淋组件。
11.如权利要求10所述的基板后处理装置,其特征在于,所述上表面喷淋组件包括喷嘴、机械臂和供流管路,所述供流管路与所述喷嘴接通,所述机械臂与所述喷嘴连接以带动所述喷嘴移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造