[实用新型]一种基板后处理装置有效

专利信息
申请号: 201920462276.X 申请日: 2019-04-08
公开(公告)号: CN210092034U 公开(公告)日: 2020-02-18
发明(设计)人: 王同庆;王剑;许振杰;路新春 申请(专利权)人: 清华大学;天津华海清科机电科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
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摘要:
搜索关键词: 一种 基板后 处理 装置
【说明书】:

本实用新型涉及化学机械抛光后处理技术领域,公开了一种基板后处理装置,该装置包括:用于旋转基板的承载单元、向基板喷射流体的供给单元、流体收集单元以及环状挡板组件。挡板组件围绕承载单元设置且挡板组件内壁与基板边缘的距离设置成使得从该基板溅射至该挡板组件内壁的流体不会反溅至该基板表面。从而避免了从基板表面飞散的流体反溅而再次沾染基板造成的二次污染,改善了清洗效果。

技术领域

本实用新型涉及化学机械抛光后处理技术领域,尤其涉及一种基板后处理装置。

背景技术

化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization, CMP)是一种全局平整化的超精密表面加工工艺。由于化学机械抛光中大量使用的化学试剂和研磨剂会造成基板表面的污染,所以在化学机械抛光之后需要引入后处理工艺,后处理工艺一般由清洗和干燥组成,以提供光滑洁净的基板表面。

在通常的后处理工艺中,湿式清洗较为常用,其一方面利用机械作用使基板表面的污染物脱离并进入清洗液中,另一方面利用清洗液与基板表面的污染物发生化学反应使其溶解到清洗液中,从而实现从基板表面去除污染物。

专利CN104956467B公开了一种用于化学机械平坦化的基板清洗设备,其中清洗部分包括并列的数个清洗模块和烘干模块以使晶圆依次通过,晶圆竖直放入清洗模块的腔室中进行刷洗,刷洗完毕后再送入烘干模块进行烘干。

现有技术中将清洗和烘干分为多个模块,体积较大。且湿式清洗方法一般是将基板竖直放置在容器内进行旋转同时向基板喷淋清洗液,在此过程中,从基板表面溅射的清洗液飞散至容器内壁后会反弹而重新落在基板表面造成基板的二次污染,清洗效果差。并且为了消除二次污染的影响需要反复多次对基板进行冲洗,增加了清洗液的使用量,导致耗材浪费,提高生产成本,且反复冲洗过程增加了清洗时间,降低了清洗效率。

发明内容

本实用新型实施例提供了一种基板后处理装置,旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

本实用新型实施例提供的一种基板后处理装置,包括:用于旋转基板的承载单元、向基板喷射流体的供给单元、流体收集单元以及环状挡板组件;挡板组件围绕承载单元设置且挡板组件内壁与基板边缘的距离设置成使得从该基板溅射至该挡板组件内壁的流体不会反溅至该基板表面。

在一个实施例中,承载单元和挡板组件均位于流体收集单元内,挡板组件位于承载单元外侧,承载单元使基板保持水平。

在一个实施例中,挡板组件内壁与基板边缘的水平距离为30mm至100mm。

在一个实施例中,流体收集单元包括两个以上环形腔室,以分别收集不同类型的流体。

在一个实施例中,挡板组件包括第一挡板,其具有平行于流体收集单元外壁的竖部以及分别从竖部的上部朝承载单元向上倾斜延伸的上斜部和朝承载单元向下倾斜延伸的下斜部,上斜部和下斜部将从基板溅射的流体引导至流体收集单元的第一腔室,竖部将从基板溅射的流体引导至流体收集单元的第二腔室,第一腔室位于第二腔室内侧。

在一个实施例中,挡板组件还包括位于第一挡板外侧的第二挡板,其由平行于流体收集单元外壁的竖直部和从竖直部的上部朝承载单元向上倾斜延伸的倾斜部构成。

在一个实施例中,基板后处理装置还包括用于控制挡板组件独立升降的挡板升降单元。

在一个实施例中,挡板升降单元包括气缸、活动连板和挡板支撑杆,气缸的一端连接流体收集单元,气缸的另一端连接活动连板,活动连板通过挡板支撑杆与挡板组件连接以通过气缸带动挡板组件升降。

在一个实施例中,供给单元包括至少一个上表面喷淋组件和至少一个下表面喷淋组件。

在一个实施例中,上表面喷淋组件包括喷嘴、机械臂和供流管路,供流管路与喷嘴接通,机械臂与喷嘴连接以带动喷嘴移动。

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