[实用新型]颗粒物吸附装置及晶圆处理设备有效
申请号: | 201920466661.1 | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN209496833U | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 王豆;陈伏宏;刘家桦;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 颗粒物 放置位 金属网格 机械手臂 吸附装置 晶圆处理设备 吸附 本实用新型 表面附着 静电吸附 刻蚀工艺 刻蚀效果 电连接 上表面 产率 去除 电源 报警 供电 优化 | ||
该实用新型涉及一种颗粒物吸附装置及晶圆处理设备,其中颗粒物吸附装置包括:机械手臂,用于伸至晶圆放置位的上方,晶圆放置位用于放置晶圆;金属网格,安装至机械手臂,用于跟随机械手臂运动至晶圆放置位上方,以吸附晶圆放置位上表面的颗粒物;电源,与金属网格电连接,用于给金属网格供电,使金属网格能够凭借静电吸附颗粒物。本实用新型具有能够伸至待去除颗粒物的晶圆放置位的上方的机械手臂,以及具有能够吸附晶圆放置位表面的颗粒物的金属网格,能够清除晶圆放置位表面的颗粒物,降低因晶圆放置位表面附着的颗粒物而发生背氦报警的风险,优化晶圆刻蚀效果,提高晶圆刻蚀工艺的产率。
技术领域
本实用新型涉及晶圆生产制造加工设备领域,具体涉及一种颗粒物吸附装置及晶圆处理设备。
背景技术
在对晶圆进行处理的过程中,晶圆与晶圆放置位之间难免会有接触。一旦晶圆放置位表面沾染有颗粒物,就会对放置到该晶圆放置位表面的晶圆造成干扰,影响晶圆的处理。
例如,在干法刻蚀的过程中,晶圆是被放置到静电吸盘的上表面进行刻蚀处理的。静电吸盘作为晶圆放置位,在沾染到颗粒物时,可能会影响晶圆和静电吸盘之间的密闭性,造成晶圆和静电吸盘之间的氦气泄露,引发背氦报警。晶圆和静电吸盘之间的氦气泄露不利于放置在该静电吸盘表面的晶圆的散热,会影响晶圆的刻蚀效果。并且由于发生背氦报警时可能需要停机检查,因此也会严重的影响晶圆刻蚀工艺的产率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种颗粒物吸附装置及晶圆处理设备,能够减小晶圆放置位上附着的颗粒物的数目,防止发生背氦报警,影响晶圆刻蚀的良率。
为解决上述技术问题,以下提供了一种颗粒物吸附装置,包括:机械手臂,用于伸至晶圆放置位的上方,所述晶圆放置位用于放置晶圆;金属网格,安装至所述机械手臂,用于跟随所述机械手臂运动至所述晶圆放置位上方,以吸附所述晶圆放置位上表面的颗粒物;电源,与所述金属网格电连接,用于给所述金属网格供电,使所述金属网格能够凭借静电吸附颗粒物。
可选的,还包括:控制单元,连接至所述电源,用于控制所述电源与所述金属网格的连接关系,从而控制所述金属网格的通电与否,以控制所述金属网格的吸附作用。
可选的,还包括:检测单元,设置至所述晶圆放置位,与所述控制单元相连接,用于检测所述金属网格的位置。
可选的,所述检测单元包括光敏传感器和图像传感器中的至少一种。
可选的,所述控制单元对所述电源与所述金属网格的连接关系的控制包括:在所述检测单元检测到所述金属网格位于所述晶圆放置位上方时,控制所述电源与所述金属网格连接,使得所述金属网格通电,使所述金属网格具有吸附作用,以吸附所述晶圆放置位表面的颗粒物。
可选的,所述金属网格的尺寸大于等于所述晶圆放置位的尺寸。
为了解决上述技术问题,本实用新型还提供了一种晶圆处理设备,包括:晶圆放置位,用于放置待处理的晶圆;颗粒物吸附装置,包括:机械手臂,用于伸至晶圆放置位的上方,所述晶圆放置位用于放置晶圆;金属网格,安装至所述机械手臂,用于跟随所述机械手臂运动至所述晶圆放置位上方,以吸附所述晶圆放置位上表面的颗粒物;电源,与所述金属网格电连接,用于给所述金属网格供电,使所述金属网格能够凭借静电吸附颗粒物。
本实用新型的颗粒物吸附装置及晶圆处理设备具有能够伸至待去除颗粒物的晶圆放置位的上方的机械手臂,以及具有能够吸附晶圆放置位表面的颗粒物的金属网格,能够清除晶圆放置位表面的颗粒物,降低因晶圆放置位表面附着的颗粒物而发生背氦报警的风险,优化晶圆刻蚀效果,提高晶圆刻蚀工艺的产率。
附图说明
图1为本实用新型的一种具体实施方式中颗粒物吸附装置的连接结构示意图。
图2为本实用新型的一种具体实施方式中机械手臂与金属网格的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造