[实用新型]倒装发光二极管

说明书

本申请公开了一种倒装发光二极管，该倒装发光二极管包括：芯片，包括发光层；第一金属层，位于芯片上，与芯片电连接；反射层，位于第一金属层上；以及第二金属层，位于反射层上，经由反射层与第一金属层接触，使第一金属层与外部电路连接。该倒装发光二极管通过倒装结构从背面出光，其芯片形状包括平行四边形，增大了周长与横截面积，从而增大了光的出光面积，增加了发光效率。另一方面，由于平行四边形对角线长，因此焊垫之间的间距增加，提升了芯片的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，更具体地涉及一种发光二极管。

背景技术

作为新生代固体发光源，LED具有节能、环保、寿命长、光效高等优点，因此LED在显示屏、照明、背光领域等广泛应用。为了进一步提升LED性能，需要提升LED的内量子及外量子效率。近年来随着外延多量子阱(MultipleQuantum Well,MQW)结构的引入，内量子效率已经得到大幅度提升。

在现有技术中，为了得到更高的亮度，LED需要过流驱动，然而，过流驱动会增加热量的产生。氮化镓(GaN)基LED以蓝宝石为衬底，蓝宝石散热较差，发出的光会被电极面吸收，GaN折射率高，发出的光不容易萃取。

目前常规倒装发光二极管均为正方形和长方形。在倒装产品封装过程中，P电极端的焊垫(P PAD)与N电极端的焊垫(N PAD)之间的距离至关重要，若二者间距过小，会导致封装短路，从而降低器件的可靠性。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的提供了一种倒装发光二极管，通过将倒装发光二极管的芯片形状制作成平行四边形，由于在等面积下，平行四边形周长大于方形，发光层具有更大的出光界面，从而提升了光萃取率。

根据本实用新型的实施例，提供了一种倒装发光二极管包括：芯片，包括发光层；第一金属层，位于所述芯片上，与所述芯片电连接；反射层，位于所述第一金属层上；以及第二金属层，位于所述反射层上，经由所述反射层与所述第一金属层接触，使所述第一金属层与外部电路连接。

优选地，所述芯片的横截面形状包括平行四边形。

优选地，所述第一金属层包括：至少一个第一焊垫，位于所述发光层上方，引出所述芯片的第一电极端；以及至少一个第二焊垫，位于所述发光层上方，引出所述芯片的第二电极端，其中，所述第一焊垫与所述第二焊垫位于所述平行四边形的锐角对角线上。

优选地，所述第一焊垫与所述第二焊垫的形状分别选自圆形与多边形中的至少一种。

优选地，所述第一电极端选自P电极端与N电极端的一种，所述第二电极端选自P电极端与N电极端的另一种。

优选地，所述第一金属层还包括至少一个第一指状电极，所述第一指状电极的一端与所述第一焊垫连接，另一端在所述发光层的表面上延伸。

优选地，所述第一指状电极包括弯曲部与平行部，所述弯曲部与所述第一焊垫相连，所述平行部与所述锐角对角线平行。

优选地，所述第一指状电极的数量包括一个，位于所述锐角对角线的一侧。

优选地，所述第一指状电极的数量包括两个，分别位于所述锐角对角线的两侧，其中，两个所述第一指状电极构成U型结构。

优选地，所述第一指状电极的数量包括两个，分别在所述锐角对角线的两侧延伸，其中，两个所述第一指状电极构成W型结构。

优选地，所述第一金属层还包括至少一个第二指状电极，所述第二指状电极的一端与所述第二焊垫连接，另一端在所述发光层的表面上延伸。

优选地，所述第二指状电极的数量包括一个，所述第二指状电极位于所述锐角对角线上。