[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201920477862.1 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN209691782U | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;张楠;袁根如;陈朋;马艳红 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 余明伟<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201209 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离带 下表面 半导体器件 本实用新型 绝缘层 绝缘层形成 器件可靠性 工作效率 外侧边缘 电隔离 良品率 上表面 侧壁 延伸 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
N型半导体层，所述N型半导体层的上表面形成有N电极；
P型半导体层，位于所述N型半导体层的下表面；
凹槽隔离带，所述凹槽隔离带由所述P型半导体层延伸至所述N型半导体层，所述凹槽隔离带位于所述N电极的外侧边缘处；
绝缘层，所述绝缘层形成于所述凹槽隔离带的底部、所述凹槽隔离带的侧壁及与所述N电极位置对应的所述P型半导体层的下表面；
P电极，形成于所述P型半导体层的下表面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述P型半导体层与所述P电极之间还包括反射镜。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述N型半导体层包括N型GaN半导体层，所述P型半导体层包括P型GaN半导体层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述半导体器件包括发光二极管。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述绝缘层的材质包括二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氧化钛中的一种。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述绝缘层的水平投影面积不小于所述N电极的面积。
7.一种半导体器件，其特征在于，包括：
N型半导体层，所述N型半导体层的上表面形成有N电极；
P型半导体层，位于所述N型半导体层的下表面；
隔离平台，所述隔离平台通过去除与所述N电极位置对应的所述P型半导体层及与所述N电极位置对应的部分厚度的所述N型半导体层形成；
绝缘层，所述绝缘层形成于所述隔离平台的底部和侧壁；
P电极，形成于所述P型半导体层的下表面。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：所述P型半导体层与所述P电极之间还包括反射镜。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：所述N型半导体层包括N型GaN半导体层，所述P型半导体层包括P型GaN半导体层。
10.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：所述半导体器件包括发光二极管。
11.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：所述绝缘层的材质包括二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氧化钛中的一种。
12.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：所述隔离平台的面积不小于所述N电极的面积。
13.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：所述绝缘层的水平投影面积不小于所述N电极的面积。
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