[实用新型]一种半导体器件

说明书

本实用新型提供一种半导体器件，包括：N型半导体层，所述N型半导体层的上表面形成有N电极；P型半导体层，位于所述N型半导体层的下表面；凹槽隔离带，所述凹槽隔离带由所述P型半导体层延伸至所述N型半导体层，所述凹槽隔离带位于所述N电极的外侧边缘处；绝缘层，所述绝缘层形成于所述凹槽隔离带的底部、所述凹槽隔离带的侧壁及与所述N电极位置对应的所述P型半导体层的下表面；P电极，形成于所述P型半导体层的下表面。本实用新型的半导体器件能有效的实现电隔离，提高器件可靠性和良品率，提高器件工作效率。

技术领域

本实用新型属于半导体领域，特别是涉及一种半导体器件。

背景技术

自从GaN基发光二极管诞生以来，LED技术研发及应用得到飞速发展。大功率GaN基LED在全固态白光照明方面具有广阔的应用前景,被认为是最有希望取代白炽灯与日光灯的第三代固态照明光源。但随着驱动电流的增加和芯片尺寸的增大，会引发器件漏电电流增加，光效降低，可靠性减低等问题。钝化工艺是制作高亮度、大功率、高可靠性LED器件的一个重要环节，直接影响器件的可靠性能。目前LED器件常用的钝化材料是硅的氧化物或氮化物，然而随着技术研究的发展，垂直结构芯片、薄膜型芯片、倒装芯片等新结构芯片逐渐成为下一代LED芯片的发展方向，这类芯片对钝化材料提出了新的要求，传统的钝化材料已不能满足要求。

基于以上所述，本实用新型的目的是给出一种半导体器件，以解决现有技术的漏电电流大，器件光效率低，可靠性差等问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体器件，用于解决现有技术中漏电电流大，器件光效率低，可靠性差等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种半导体器件，包括：

N型半导体层，所述N型半导体层的上表面形成有N电极；

P型半导体层，位于所述N型半导体层的下表面；

凹槽隔离带，所述凹槽隔离带由所述P型半导体层延伸至所述N型半导体层，所述凹槽隔离带位于所述N电极的外侧边缘处；

绝缘层，所述绝缘层形成于所述凹槽隔离带的底部、所述凹槽隔离带的侧壁及与所述N电极位置对应的所述P型半导体层的下表面；

P电极，形成于所述P型半导体层的下表面。

可选地，所述P型半导体层与所述P电极之间还包括反射镜。

可选地，所述N型半导体层包括N型GaN半导体层，所述P型半导体层包括P型GaN半导体层。

可选地，所述半导体器件包括发光二极管。

可选地，所述绝缘层的材质包括二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氧化钛中的一种。

可选地，所述绝缘层的水平投影面积不小于所述N电极的面积。

本实用新型还提供一种半导体器件，包括：

N型半导体层，所述N型半导体层的上表面形成有N电极；

P型半导体层，位于所述N型半导体层的下表面；

隔离平台，所述隔离平台通过去除与所述N电极位置对应的所述P型半导体层及与所述N电极位置对应的部分厚度的所述N型半导体层形成；

绝缘层，所述绝缘层形成于所述隔离平台的底部和侧壁；

P电极，形成于所述P型半导体层的下表面。

可选地，所述P型半导体层与所述P电极之间还包括反射镜。

可选地，所述N型半导体层包括N型GaN半导体层，所述P型半导体层包括P型GaN半导体层。