[实用新型]硅片单面抛光治具有效
申请号: | 201920483697.0 | 申请日: | 2019-04-11 |
公开(公告)号: | CN209461426U | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 吴佳俊;吴家宏;张凯胜;姚伟忠;孙铁囤 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 郑云 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 治具 孔板 出气孔 外框 本实用新型 单面抛光 抽气孔 扩散面 吸附 单面刻蚀 硅片抛光 刻蚀抛光 密闭连通 抛光设备 真空吸盘 抽真空 面接触 抛光 槽式 侧壁 内壁 贴紧 外壁 遮盖 连通 环绕 | ||
本实用新型公开了一种硅片单面抛光治具,用作真空吸盘,包括:用于放置硅片的孔板,所述孔板的端面上密集开设有气孔,所述孔板侧壁上开设有出气孔,所述出气孔与所述气孔从孔板的内部相互连通;放置所述硅片时,气孔均被硅片遮盖;环绕孔板设置的外框,所述外框的内壁与所述孔板的外壁固定连接,所述外框上设有抽气孔,所述抽气孔与出气孔密闭连通。本实用新型是对槽式碱抛光设备单面刻蚀抛光而设计的治具,治具的两侧放上硅片,并给治具抽真空,让硅片吸附在该治具上,让硅片抛光面接触药液,扩散面受到治具贴紧吸附保护住,从而解决硅片在刻蚀抛光槽扩散面过刻。
技术领域
本实用新型属于太阳能光伏电池制造技术领域,具体涉及一种硅片单面抛光治具。
背景技术
太阳能电池用硅片单面抛光技术一般是在在槽式碱抛光设备中采用湿法刻蚀,比如热碱浸泡刻蚀,即将硅片插装在硅片花篮中,然后浸没在碱液槽中。这种方法的缺点是较难进行单面刻蚀,要做单面刻蚀需要对其中一面做掩膜,这样导致工序增加,工艺成本提高。
实用新型内容
本实用新型目的为,为了克服上述现有技术中的不足,提供一种硅片单面抛光治具。
本实用新型所采用的技术方案为:一种硅片单面抛光治具,用作真空吸盘,包括:
用于放置硅片的孔板,所述孔板的端面上密集开设有气孔,所述孔板侧壁上开设有出气孔,所述出气孔与所述气孔从孔板内部相互连通;放置所述硅片时,气孔均被硅片遮盖;
环绕孔板设置的外框,所述外框内壁与所述孔板的外壁固定连接,所述外框上设有抽气孔,所述抽气孔与出气孔密闭连通。所述气孔可设置在孔板其中一端的端面上,也可以两个端面上均密集开设有所述气孔。
出气孔与气孔的连通,可以通过如下方案,即所述孔板内部设有空心层,所述出气孔通过空心层与所述气孔连通。也可以为另一种方案,即所述相邻两个气孔之间的侧壁上开设有通孔,用于所述气孔之间的连通;所述出气孔与与之相邻的气孔之间开设有通孔,用于出气孔与该气孔之间的连通。
为了增加抽真空效果,并更好保证硅片在孔板上的紧密贴附,作为优选,所述出气孔有两个且相对设置在所述孔板侧壁上;所述抽气孔有两个且与所述出气孔配合设置。
本实用新型所取得的有益效果为:本实用新型是对槽式碱抛光设备单面刻蚀抛光而设计的治具,治具的孔板上放置硅片,并给治具抽真空,让硅片吸附在该治具上,让硅片抛光面接触药液,扩散面受到治具贴紧吸附保护住,从而解决硅片在刻蚀抛光槽扩散面过刻。
附图说明
图1为本实用新型实施例中的硅片单面抛光治具,
图2为放置有硅片的单面抛光治具;
图3为图2的左视图;
图4为图2中A处的放大示意图。
图中:1.孔板,2.气孔,3.出气孔,4.硅片,5.外框,6.抽气孔。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成,方向和参照(例如,上、下、左、右、等等)可以仅用于帮助对附图中的特征的描述。因此,并非在限制性意义上采用以下具体实施方式,并且仅仅由所附权利要求及其等同形式来限定所请求保护的主题的范围。
见图1至图4,一种硅片单面抛光治具,用作真空吸盘,包括:用于放置硅片4的孔板1和环绕孔板设置的外框5。
所述孔板1的端面上密集开设有气孔2,所述孔板侧壁上开设有出气孔3,所述出气孔3与所述气孔2从孔板1的内部相互连通;放置所述硅片4时,气孔2均被硅片遮盖。具体的,所述孔板1的内部设有空心层,所述出气孔3通过空心层与所述气孔2连通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造