[实用新型]一种具有透明导电层的单多晶P型单面TOPCON电池有效
| 申请号： | 201920488017.4 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN209658188U | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张勇;李国庆;王晨光 | 申请（专利权）人： | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/042 |
| 代理公司： | 44247 深圳市康弘知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹彦;胡朝阳<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区横*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本实用新型 透明导电层 太阳能电池 衬底 背金属电极 二氧化硅层 金属电极 叠置 光电转换效率 串联电阻 导电特性 短路电流 多晶硅片 填充因子 外部负载 背电场 电池片 硼掺杂 薄层 多晶 受光 隧穿 电池 优化 | ||
1.一种具有透明导电层的单多晶P型单面TOPCON电池，包括P型衬底（1），其特征在于：所述P型衬底的上面由下往上依次叠置N型扩散层（2）、二氧化硅层（3）、正金属电极（5）和透明导电层（4），所述P型衬底的下面由上往下依次叠置超薄隧穿二氧化硅层（6）、硼掺杂P型硅薄层（7）、背电场层（8）和背金属电极（9）；所述正金属电极和背金属电极连接外部负载。
2.如权利要求1所述的单多晶P型单面TOPCON电池，其特征在于：所述透明导电层（4）上方设置正电引出极（10）；所述正金属电极（5）和正电引出极（10）皆采用栅格状，并且所述正金属电极和正电引出极的图形大小形状相同、并且在铅锤方向重叠一致。
3.如权利要求1所述的单多晶P型单面TOPCON电池，其特征在于：所述正金属电极（5）和N型扩散层（2）之间设有连通槽（12），所述连通槽贯穿所述二氧化硅层（3），正金属电极通过连通槽贴紧N型扩散层上表面。
4.如权利要求1所述的单多晶P型单面TOPCON电池，其特征在于：所述背电场层（8）和P型衬底（1）之间设有多个通孔（11），所述通孔贯穿所述超薄隧穿二氧化硅层（6）和硼掺杂P型硅薄层（7），背电场层可以通过所述通孔抵触所述P型衬底的下表面。
5.如权利要求1所述的单多晶P型单面TOPCON电池，其特征在于：所述透明导电层（4）采用氧化铟锡透明导电膜，或氧化钨锡透明导电膜。
6.如权利要求1所述的单多晶P型单面TOPCON电池，其特征在于：所述P型衬底（1）的厚度为150至300微米，反射率5%至25%。
7.如权利要求1所述的单多晶P型单面TOPCON电池，其特征在于：所述二氧化硅层（3）的厚度为1至10纳米。
8.如权利要求1所述的单多晶P型单面TOPCON电池，其特征在于：所述超薄隧穿二氧化硅层（6）的厚度为1至30纳米。
9.如权利要求1至8任一项所述的单多晶P型单面TOPCON电池，其特征在于：所述P型衬底（1）采用P型单晶硅片或P型多晶硅片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
