[实用新型]一种具有透明导电层的单多晶P型单面TOPCON电池有效

专利信息
申请号: 201920488017.4 申请日: 2019-04-11
公开(公告)号: CN209658188U 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 张勇;李国庆;王晨光 申请(专利权)人: 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/042
代理公司: 44247 深圳市康弘知识产权代理有限公司 代理人: 尹彦;胡朝阳<国际申请>=<国际公布>=
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区横*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 本实用新型 透明导电层 太阳能电池 衬底 背金属电极 二氧化硅层 金属电极 叠置 光电转换效率 串联电阻 导电特性 短路电流 多晶硅片 填充因子 外部负载 背电场 电池片 硼掺杂 薄层 多晶 受光 隧穿 电池 优化
【说明书】:

实用新型公开了一种具有透明导电层的单多晶P型单面TOPCON电池,包括P型衬底(1),所述P型衬底的上面由下往上依次叠置N型扩散层(2)、二氧化硅层(3)、正金属电极(5)和透明导电层(4),所述P型衬底的下面由上往下依次叠置超薄隧穿二氧化硅层(6)、硼掺杂P型硅薄层(7)、背电场层(8)和背金属电极(9);所述正金属电极和背金属电极连接外部负载;通过在P型单多晶硅片上的透明导电层使电池片接收阳光的受光率提高,同时其导电特性良好,也可以降低串联电阻,进而提高本实用新型的太阳能电池的短路电流和填充因子;通过优化太阳能电池中的各部分的具体尺寸与材质,使得本实用新型的太阳能电池的光电转换效率达到最优。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种具有透明导电层的单多晶P型单面TOPCON电池。

背景技术

自从第一块太阳能电池在贝尔实验室诞生以来,硅太阳能电池得到了广泛的研究发展以及实际应用,特别是晶体硅太阳能电池,随着科学技术的不断发展,晶体硅太阳能电池的光电转换效率不断提升,生产成本也在持续下降。目前,晶体硅太阳能电池占太阳能电池全球市场总额的百分之八十以上,晶体硅太阳能电池片的产线光电转换效率目前也已突破22%,与传统火力发电的成本差也在不断缩小,在未来几年有望与火力发电的成本持平。晶体硅太阳能电池作为一种清洁无污染能源在改变能源结构、减少环境污染、实现可持续发展等方面的重要作用日益显现。按基材的掺杂类型不同,可以将晶体硅太阳能电池分为P型晶体硅太阳能和N型晶体硅太阳能电池。但现有的太阳能电池存在光电转换效率偏低的缺陷,如何改变晶体硅太阳能电池的结构,以进一步提高其光电转换效率,这是业界亟需解决的技术问题。

实用新型内容

为了解决现有技术中存在的上述缺陷,本实用新型提出一种具有透明导电层的单多晶P型单面TOPCON电池。

本实用新型采用的技术方案是设计一种具有透明导电层的单多晶P型单面TOPCON电池,包括P型衬底,所述P型衬底的上面由下往上依次叠置N型扩散层、二氧化硅层、正金属电极和透明导电层,所述P型衬底的下面由上往下依次叠置超薄隧穿二氧化硅层、硼掺杂P型硅薄层、背电场层和背金属电极;所述正金属电极和背金属电极连接外部负载。

所述透明导电层上方设置正电引出极;所述正金属电极和正电引出极皆采用栅格状,并且所述正金属电极和正电引出极的图形大小形状相同、并且在铅锤方向重叠一致。

所述正金属电极和N型扩散层之间设有连通槽,所述连通槽贯穿所述二氧化硅层,正金属电极通过连通槽贴紧N型扩散层上表面。

所述背电场层和P型衬底之间设有多个通孔,所述通孔贯穿所述超薄隧穿二氧化硅层和硼掺杂P型硅薄层,背电场层可以通过所述通孔抵触所述P型衬底的下表面。

所述透明导电层采用氧化铟锡透明导电膜,或氧化钨锡透明导电膜。

所述P型衬底的厚度为150至300微米,反射率5%至25%。

所述二氧化硅层的厚度为1至10纳米。

所述超薄隧穿二氧化硅层的厚度为1至30纳米。

所述P型衬底采用P型单晶硅片或P型多晶硅片。

本实用新型提供的技术方案的有益效果是:

本实用新型公开的太阳能电池,通过在P型单多晶硅片上的透明导电层使电池片接收阳光的受光率提高,同时其导电特性良好,也可以降低串联电阻,进而提高本实用新型的太阳能电池的短路电流和填充因子;通过优化太阳能电池中的各部分的具体尺寸与材质,使得本实用新型的太阳能电池的光电转换效率达到最优;同时本实用新型的制造方法简单易行,且与现有的制备工艺兼容,便于工业化生产。

附图说明

下面结合实施例和附图对本实用新型进行详细说明,其中:

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