[实用新型]一种发光二极管快速升温生产工艺用承载盘有效
| 申请号： | 201920495671.8 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN209401611U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 贺照纲 | 申请（专利权）人： | 鋐源光电科技（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 陈文香 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 承载盘 放置槽 发光二极管 快速升温 生产工艺 本实用新型 一次生产 片晶 加热腔室 常规的 放置面 平面状 侧边 产能 承放 内凹 托架 外扩 外凸 圆角 放大 增产 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管快速升温生产工艺用承载盘，其特征在于：包括承载盘本体(10)；
所述承载盘本体(10)设有晶圆放置面(11)；所述晶圆放置面(11)呈四角为外凸圆角且四侧边内凹的平面状；所述承载盘本体(10)设有五个晶圆放置槽(12)，其中四个晶圆放置槽(12)位于所述晶圆放置面(11)的四角，另一个晶圆放置槽(12)位于所述晶圆放置面(11)的中心位置。
2.根据权利要求1所述的发光二极管快速升温生产工艺用承载盘，其特征在于：所述晶圆放置槽(12)为圆槽；所述晶圆放置槽(12)的尺寸与直径为4寸晶圆相匹配。
3.根据权利要求1所述的发光二极管快速升温生产工艺用承载盘，其特征在于：所述晶圆放置槽(12)的中心沿所述晶圆放置面(11)的对角线分布。
4.根据权利要求1所述的发光二极管快速升温生产工艺用承载盘，其特征在于：所述承载盘本体(10)由碳化硅材料制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
