[实用新型]一种发光二极管快速升温生产工艺用承载盘有效
申请号: | 201920495671.8 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN209401611U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 贺照纲 | 申请(专利权)人: | 鋐源光电科技(厦门)有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L33/00 |
代理公司: | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人: | 陈文香 |
地址: | 361100 福建省厦门市火*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 承载盘 放置槽 发光二极管 快速升温 生产工艺 本实用新型 一次生产 片晶 加热腔室 常规的 放置面 平面状 侧边 产能 承放 内凹 托架 外扩 外凸 圆角 放大 增产 | ||
本实用新型提供一种发光二极管快速升温生产工艺用承载盘,包括承载盘本体;承载盘本体设有晶圆放置面;晶圆放置面呈四角为外凸圆角且四侧边内凹的平面状;承载盘本体设有五个晶圆放置槽,其中四个晶圆放置槽位于晶圆放置面的四角,另一个晶圆放置槽位于晶圆放置面的中心位置。本实用新型提供的发光二极管快速升温生产工艺用承载盘,将四角往外扩,将原本四个晶圆放置槽中间的位置放大,可增加第五个晶圆放置槽;往外扩大的承载盘本体,依然可承放于原本的托架上,并可放置于常规的受加热腔室之中。采用本实用新型提供的发光二极管快速升温生产工艺用承载盘,使原本一次生产四片晶圆,可以提升至一次生产五片晶圆,产能提升25%,达成增产的目标。
技术领域
本实用新型涉及发光二极管加工技术领域,特别涉及一种发光二极管快速升温生产工艺用承载盘。
背景技术
发光二极管(LED)晶圆在做完薄膜工艺后,须以高温进行热应力的退火,以去除热应力残留。此工艺目前采用两种做法,一种是以炉管加热方式,另一种是以快速升温炉加热方式。炉管加热方式的加热时间长,并且是在大气常压的环境下进行,晶圆上的薄膜层极容易被炉管中的残留氧气所氧化。但因为晶圆是放置于晶舟(BOAT)上,因此晶舟的长度可以配合加热炉管的恒温区长度设计,大量放置晶圆,生产量大。快速升温炉加热方式是以一个高导热材质的精密陶瓷例如碳化硅材料制作成承载盘,上面放置晶圆,并以托架托住承载盘放置于加热腔室内,抽真空后进行加温。此方式可以达成快速且无氧气的环境下对晶圆进行加热退火去除热应力,生产出的晶圆的质量高。
专利CN201410457248.0公开了一种LED芯片退火装置,其中记载了现有承载盘大多为方形,其晶圆放置槽数包括4×4或2×2等规格。4×4规格承载盘用于放置直径2寸的晶圆,可以放置16片;2×2规格承载盘用于放置直径4寸的晶圆,可以放置4片。
如图1所示,传统用于承载直径4寸晶圆的正方形状的承载盘上设有4个晶圆放置槽,以2X2的阵列分布,使用时,晶圆放置于承载盘的晶圆放置槽上,再将承载盘放置于承载盘托架上,最后放置于加热腔室之中。每个快速升温炉每次只能加热退火处理4片晶圆,效率低。由于设备昂贵,改动机台加热腔室尺寸是不现实的,这也就导致托盘的尺寸受限于加热腔室的尺寸,进而造成晶圆的承放量少。针对4寸晶圆退火用的承载盘,如何在现有承载盘尺寸受限条件下提高产能是本行业目前亟待解决的问题。
实用新型内容
为解决背景技术中提到现有用于承载直径4寸晶圆的承载盘采用2×2规格承载盘,产能低的问题。本实用新型提供一种发光二极管快速升温生产工艺用承载盘,包括承载盘本体;
所述承载盘本体设有晶圆放置面;所述晶圆放置面呈四角为外凸圆角且四侧边内凹的平面状;所述承载盘本体设有五个晶圆放置槽,其中四个晶圆放置槽位于所述晶圆放置面的四角,另一个晶圆放置槽位于所述晶圆放置面的中心位置。
进一步地,所述晶圆放置槽为圆槽;所述晶圆放置槽的尺寸与直径为4寸晶圆相匹配。
进一步地,所述晶圆放置槽的中心沿所述晶圆放置面的对角线分布。
进一步地,所述承载盘本体由碳化硅材料制成。
本实用新型提供的发光二极管快速升温生产工艺用承载盘,通过将四角往外扩,将原本四个晶圆放置槽中间的位置放大,即可增加第五个晶圆放置槽;往外扩大的承载盘本体,依然可以承放于原本的托架上,并可放置于常规的受加热腔室之中。采用本实用新型提供的发光二极管快速升温生产工艺用承载盘,使原本一次生产四片晶圆,可以提升至一次生产五片晶圆,产能提升25%,达成增产的目标。本实用新型通过改变传统承载盘的形状和尺寸,获得一种能够放置5片晶圆的承载盘,不用对退火设备进行改动,利用最小的改动成本提高了产能。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造