[实用新型]一种去胶设备有效
申请号: | 201920519976.8 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN210015839U | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 张大龙;栾剑峰;刘家桦;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 31295 上海思捷知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 出气孔 出气管道 出气支管 去胶 腔体 出气总管 均匀性 超高真空环境 本实用新型 附属设备 腔体环境 腔体连通 数量相等 第一端 颗粒物 晶圆 良率 排出 连通 体内 | ||
1.一种去胶设备,其特征在于,所述去胶设备包括:
腔体,所述腔体的底部具有多个出气孔;
出气管道,所述出气管道包括多个出气支管和一个出气总管,所述出气支管的数量和所述出气孔的数量相等,各所述出气支管的第一端分别通过一所述出气孔与所述腔体连通,各所述出气支管的第二端分别与所述出气总管连通。
2.如权利要求1所述的去胶设备,其特征在于,所述出气孔的数量为两个,两个所述出气孔关于所述腔体的轴线对称分布。
3.如权利要求2所述的去胶设备,其特征在于,两个所述出气支管关于所述腔体的轴线的延长线对称分布,所述出气总管位于所述腔体的轴线的延长线上。
4.如权利要求1所述的去胶设备,其特征在于,所述出气孔的数量大于或等于三个,所有所述出气孔围绕所述腔体的轴线呈环形均匀分布。
5.如权利要求4所述的去胶设备,其特征在于,所有所述出气支管围绕所述腔体的轴线的延长线均匀分布,所述出气总管位于所述腔体的轴线的延长线上。
6.如权利要求1~5中任一项所述的去胶设备,其特征在于,各所述出气支管的第一端垂直于所述腔体的底部,且各所述出气支管分别包括一拐角结构,所述拐角结构呈弧形、直角形或钝角形,各所述出气支管的第二端分别经由所述拐角结构与所述出气总管连通。
7.如权利要求1所述的去胶设备,其特征在于,所述去胶设备还包括位于所述腔体内且位于所述出气孔的上方的多个等离子发生器,所述等离子发生器和所述出气孔的数量相等,且呈一一对应设置。
8.如权利要求7所述的去胶设备,其特征在于,所述去胶设备还包括设置在每个所述等离子发生器上的加热器。
9.如权利要求8所述的去胶设备,其特征在于,所述加热器和所述等离子发生器的数量相等,所述加热器呈环形且一个所述加热器环绕一个所述等离子发生器设置;或者,所述加热器的数量大于所述等离子发生器的数量,一个或多个所述加热器环绕一个所述等离子发生器设置。
10.如权利要求7所述的去胶设备,其特征在于,所述去胶设备还包括位于所述腔体内的多个承载台,所述承载台和所述出气孔的数量相等且呈一一对应设置,且所述承载台位于所述等离子发生器和所述出气孔之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造