[实用新型]一种去胶设备

说明书

本实用新型提供了一种去胶设备，所述去胶设备包括腔体和出气管道，所述腔体的底部具有多个出气孔，所述出气管道包括多个出气支管和一个出气总管，所述出气支管的数量和所述出气孔的数量相等，各所述出气支管的第一端分别通过一所述出气孔与所述腔体连通，各所述出气支管的第二端分别与所述出气总管连通。与现有技术相比，通过改变出气孔的数量以及通过设置与出气孔配套使用的出气管道，在不增加附属设备的条件下，可将腔体内不同位置的因对晶圆去胶所产生的颗粒物通过出气管道同步排出，因此，可以改善腔体在超高真空环境下的气流的对称性和均匀性，提高去胶均匀性和产品的良率，同时提高腔体环境稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种去胶设备。

背景技术

随着科技的快速发展，高科技电子产品已普遍应用于日常生活中，例如手机、平板电脑、数码相机等电子产品。这些电子产品内部包括许多半导体芯片，而半导体芯片的材料来源就是晶圆。为了能够满足高科技电子产品的大量需求，晶圆制造业在如何使得晶圆的制造流程更加快速、高效方面，不断地进行着研发与改良。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种去胶设备，以解决晶圆在去胶过程中易因出现不同区域气流速度和强度不同的情况，进而导致刻蚀的均匀性和工作环境的稳定性差的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种去胶设备，所述去胶设备包括：

腔体，所述腔体的底部具有多个出气孔；

出气管道，所述出气管道包括多个出气支管和一个出气总管，所述出气支管的数量和所述出气孔的数量相等，各所述出气支管的第一端分别通过一所述出气孔与所述腔体连通，各所述出气支管的第二端分别与所述出气总管连通。

可选的，在所述的去胶设备中，所述出气孔的数量为两个，两个所述出气孔关于所述腔体的轴线对称分布。

可选的，在所述的去胶设备中，两个所述出气支管关于所述腔体的轴线的延长线对称分布，所述出气总管位于所述腔体的轴线的延长线上。

可选的，在所述的去胶设备中，所述出气孔的数量大于或等于三个，所有所述出气孔围绕所述腔体的轴线呈环形均匀分布。

可选的，在所述的去胶设备中，所有所述出气支管围绕所述腔体的轴线的延长线均匀分布，所述出气总管位于所述腔体的轴线的延长线上。

可选的，在所述的去胶设备中，各所述出气支管的第一端垂直于所述腔体的底部，且各所述出气支管分别包括一拐角结构，所述拐角结构呈弧形、直角形或钝角形，各所述出气支管的第二端分别经由所述拐角结构与所述出气总管连通。

可选的，在所述的去胶设备中，所述去胶设备还包括位于所述腔体内且位于所述出气孔的上方的多个等离子发生器，所述等离子发生器和所述出气孔的数量相等，且呈一一对应设置。

可选的，在所述的去胶设备中，所述去胶设备还包括设置在每个所述等离子发生器上的加热器。

可选的，在所述的去胶设备中，所述加热器和所述等离子发生器的数量相等，所述加热器呈环形且一个所述加热器环绕一个所述等离子发生器设置；或者，所述加热器的数量大于所述等离子发生器的数量，一个或多个所述加热器环绕一个所述等离子发生器设置。

可选的，在所述的去胶设备中，所述去胶设备还包括位于所述腔体内的多个承载台，所述承载台和所述出气孔的数量相等且呈一一对应设置，且所述承载台位于所述等离子发生器和所述出气孔之间。

发明人研究发现，导致现有技术中晶圆刻蚀的整体均匀性和腔体内环境的稳定性较差的原因在于：现有去胶设备的抽真空出气管道管口设计在两个等离子发生器的中间位置，故晶圆在刻蚀过程中，靠近出气管道管口的一侧能够保证气流速度并随气流带走去胶产生的颗粒物，而远离出气管道管口的一侧则产生气流较弱的情况，进一步造成该区域的气体流动速度较慢。