[实用新型]一种用于碳化硅炉炉腔压力控制的控压装置

说明书

本实用新型涉及一种压力装置，尤其涉及一种用于碳化硅炉炉腔压力控制的控压装置。包括碳化硅炉腔体，碳化硅炉腔体设有腔体进气口与腔体出气口；腔体出气口与主真空管路一端相连；主真空管路另一端与真空泵相连；主真空管路上设有真空阀与旁路支路；旁路支路为若干并联的控压支路，各个控压支路上均设有真空阀；控压支路直径小于主真空管路，且各个控压支路的直径各不相等。本实用新型由于该装置存在几路不同大小的管径，使得通气量具有可调性，因此可根据实际的使用经验改进管径大小及数量，因此配合真空泵变频使得腔体内部压力在惰性气体的充入和抽吸过程中容易达到平衡。

技术领域

本实用新型涉及一种压力装置，尤其涉及一种用于碳化硅炉炉腔压力控制的控压装置。

背景技术

在生长碳化硅晶体时需要持续不断地向碳化硅炉的腔体内部充入惰性气体，同时必须保证腔体内部压力恒定，而在晶体生长的不同阶段，对于炉腔压力的需求也有很大不同，而且控压精度要求也很高，不允许有较大波动。由于腔体内部的封闭性及须与大气隔离，因此必须通过一种特有的装置来排出多余的惰性气体。目前普遍通过特制的真空阀来保持压力平衡,但这些特制的真空阀价格昂贵调节困难且精度难以达到技术要求。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，克服现有技术中的不足，提供一种用于碳化硅炉炉腔压力控制的控压装置。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的解决方案是：

提供一种用于碳化硅炉炉腔压力控制的控压装置，包括碳化硅炉腔体，碳化硅炉腔体设有腔体进气口与腔体出气口；腔体出气口与主真空管路一端相连；

主真空管路另一端与真空泵相连；主真空管路上设有真空阀与旁路支路；

旁路支路为若干并联的控压支路，各个控压支路上均设有真空阀；控压支路直径小于主真空管路，且各个控压支路的直径各不相等。

作为一种改进，控压支路有三个。

作为一种改进，每个控压支路上设有一个真空阀。

与现有技术相比，本实用新型的技术效果是：

该控压装置在惰性气体充入腔体，同时该支路某一分支打开，真空泵开始抽吸腔体内惰性气体，主真空管道大型真空阀关闭的过程中起作用。由于该装置存在几路不同大小的管径，使得通气量具有可调性，因此可根据实际的使用经验改进管径大小及数量，因此配合真空泵变频使得腔体内部压力在惰性气体的充入和抽吸过程中容易达到平衡。

附图说明

图1为本实用新型的一种优选实施例的整体结构示意图。

其中的附图标记为：

1-腔体进气口，2-碳化硅炉腔体，3、11-主真空管路，4-第一控压管路支路，5-第二控压管路支路，6-第三控压管路支路，7-第三真空阀，8-第二真空阀，9-第一真空阀，10-真空泵，12-第四真空阀。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本实用新型。在阅读了本实用新型之后，其他技术人员对本发明的各种等价形式的修改均属于本申请所附权利要求所限定的范围。

实施例1

如图1所示，一种用于碳化硅炉炉腔压力控制的控压装置，包括碳化硅炉腔体1，碳化硅炉腔体1设有腔体进气口1与腔体出气口；腔体出气口与主真空管路3、11一端相连；主真空管路3、11另一端连接真空泵10。主真空管路3、11上设有第四真空阀12与旁路支路；

旁路支路为三个的控压支路，分别为第一控压管路支路4、第二控压管路支路5、第三控压管路支路6；第一控压管路支路4、第二控压管路支路5、第三控压管路支路6上分别设有第一真空阀9、第二真空阀8、第三真空阀7。