[实用新型]电容器、DRAM单元和存储器有效
| 申请号： | 201920548020.0 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN209785930U | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/027 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容器 电接触部 下电极层 电容介质层 子电极层 衬底 单位面积电容 本实用新型 存储器 底部连接 间隔排布 内外表面 电极层 | ||
1.一种电容器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底内形成有电接触部；
连接所述电接触部的下电极层，所述下电极层包括至少两个间隔排布的子电极层，所述子电极层的底部连接所述电接触部；
位于所述下电极层内外表面的电容介质层，以及位于所述电容介质层表面的上电极层。
2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述子电极层的截面为U型。
3.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述至少两个子电极层的U型截面之间的距离范围为30nm～50nm。
4.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容介质层和上电极层均为连续的材料层。
5.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，还包括位于所述间隔排布的子电极层之间的支撑结构，所述支撑结构连接所述子电极层，所述支撑结构的内外表面依次形成有所述电容介质层和所述上电极层。
6.根据权利要求5所述的电容器，其特征在于，所述支撑结构至少包括：第一支撑层、第二支撑层，所述第一支撑层形成于所述衬底表面且位于所述下电极层的底部外围以及两个子电极层之间，所述第二支撑层位于所述下电极层的中部外围以及两个子电极层的之间。
7.根据权利要求6所述的电容器，其特征在于，所述支撑结构还包括第三支撑层，所述第三支撑层位于所述下电极层的开口外围。
8.一种DRAM单元，其特征在于，包括：
具有源极区和漏极区的晶体管；
如权利要求1-7任一项所述的电容器；
其中，所述晶体管设置在所述衬底内，所述电容器通过所述电接触部与所述源极区或所述漏极区接触。
9.根据权利要求8所述的DRAM单元，其特征在于，所述晶体管为埋栅结构晶体管、平面栅结构晶体管或者环栅结构晶体管。
10.一种存储器，其特征在于，包括：由多个如上述权利要求8所述的DRAM单元形成的存储阵列。
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