[实用新型]电容器、DRAM单元和存储器

说明书

本实用新型涉及一种电容器、DRAM单元和存储器，所述电容器包括：衬底，所述衬底内形成有电接触部；连接所述电接触部的下电极层，所述下电极层包括至少两个间隔排布的子电极层，所述子电极层的底部连接所述电接触部；位于所述下电极层内外表面的电容介质层，以及位于所述电容介质层表面的上电极层。上述电容器具有较高的单位面积电容值。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电容器、DRAM单元和存储器。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管。

随着半导体技术的不断发展，对半导体集成电路中电容器的性能要求也越来越高，例如，希望在有限的面积内形成更多的电容，提高电容器的集成度。电容器的集成度提高，能够提高动态存储器的集成度。

现有技术中，为了提高电容器的集成度，通常将电容器设计成竖直形状，通过提高电容器的高度，来提高单位面积内的电容值。当时，随着电容器高度增大，容易发生倒塌风险。

因此，如何有效提高电容器的集成度是目前亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种电容器、一种DRAM单元以及一种存储器，以提高所述电容器的集成度。

为了解决上述问题，本实用新型的技术方案提供了一种电容器，包括：衬底，所述衬底内形成有电接触部；连接所述电接触部的下电极层，所述下电极层包括至少两个间隔排布的子电极层，所述子电极层的底部连接所述电接触部；位于所述下电极层内外表面的电容介质层，以及位于所述电容介质层表面的上电极层。

可选的，所述子电极层的截面为U型。

可选的，所述至少两个子电极层的U型截面之间的距离范围为30nm～50nm。

可选的，所述电容介质层和上电极层均为连续的材料层。

可选的，还包括位于所述间隔排布的子电极层之间的支撑结构，所述支撑结构连接所述子电极层，所述支撑结构的内外表面依次形成有所述电容介质层和所述上电极层。

可选的，所述支撑结构至少包括：第一支撑层、第二支撑层，所述第一支撑层形成于所述衬底表面且位于所述下电极层的底部外围以及两个子电极层之间，所述第二支撑层位于所述下电极层的中部外围以及两个子电极层的之间。

可选的，所述支撑结构还包括第三支撑层，所述第三支撑层位于所述下电极层的开口外围。

为解决上述问题，本实用新型的技术方案还提供一种DRAM单元，包括：具有源极区和漏极区的晶体管；上述任一项所述的电容器；其中，所述晶体管设置在所述衬底内，所述电容器通过所述电接触部与所述源极区或所述漏极区接触。

可选的，所述晶体管具有埋栅结构。

可选的，所述晶体管为埋栅结构晶体管、平面栅结构晶体管或者环栅结构晶体管。

本实用新型的技术方案还提供一种存储器，包括由多个如上述的DRAM单元所形成的存储阵列。

本实用新型的电容器在单个所述电接触部上具有至少两个电容结构，提高电容器的单位面积电容值。并且，由于在同一个电接触部上具有至少两个电容结构，已较大程度的提高了电容器的集成度，因此，在满足电容器集成度要求的前提下，可以适当降低电容结构的高度，避免电容器发生倒塌。

附图说明

图1至图11为本实用新型一具体实施例的电容器的形成过程的结构示意图；

图12为本实用新型一具体实施例的DRAM单元的结构示意图。