[实用新型]引线框架和功率半导体器件有效
| 申请号： | 201920555320.1 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN209896052U | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 李响;牛永佳;魏洪松;郭宁 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 王献茹 |
| 地址： | 132013 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 引线框架 挡墙 功率半导体器件 芯片 本实用新型 芯片焊接 电子器件 使用寿命 外壳注塑 溢料 封装 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种引线框架，其特征在于，包括框架和挡墙；
所述挡墙设置在所述框架上，所述挡墙为环形，芯片能够安装在所述挡墙围成的环形中；
所述挡墙的顶边上沿所述挡墙的高度方向开设有第一凹槽。
2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一凹槽的纵截面为V形。
3.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述挡墙的横截面的形状为回字形。
4.根据权利要求3所述的引线框架，其特征在于，所述挡墙的内侧壁与芯片的侧边之间具有间隔。
5.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述挡墙的侧壁与所述框架垂直。
6.根据权利要求1-5任一项所述的引线框架，其特征在于，所述框架上背离所述挡墙的一侧设置有第二凹槽。
7.根据权利要求6所述的引线框架，其特征在于，所述第二凹槽为环形。
8.根据权利要求7所述的引线框架，其特征在于，所述第二凹槽围成的环形与所述挡墙围成的环形相同。
9.一种功率半导体器件，其特征在于，包括芯片、外壳和权利要求1-8任一项所述的引线框架；
所述芯片焊接在所述引线框架上，且所述芯片位于所述挡墙中；所述外壳注塑在所述引线框架上，以覆盖所述芯片。
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