[实用新型]引线框架和功率半导体器件

说明书

本实用新型提供了一种引线框架和功率半导体器件，属于电子器件技术领域。该引线框架包括框架和挡墙，挡墙设置在框架上，挡墙为环形，芯片能够安装在挡墙围成的环形中。该功率半导体器件包括芯片、外壳和上述引线框架，芯片焊接在引线框架上，且芯片位于挡墙中。外壳注塑在引线框架上，以覆盖芯片。本实用新型改善了现有技术由于芯片焊接过程中易溢料进而导致封装功率半导体器件质量较低且使用寿命不长的技术问题。

技术领域

本实用新型涉及电子器件技术领域，具体而言，涉及一种引线框架和功率半导体器件。

背景技术

随着半导体行业的发展，对功率半导体器件的防水、集成、稳定等性能的要求也越来越高。目前，用于组装功率半导体器件的引线框架采用的是防水槽工艺，防水槽可以起到锁料和防止水汽进入芯片的作用。

现有的引线框架上的防水槽是设置在引线框架上的围成环形的凹槽，芯片是焊接在引线框架上防水槽围成的环形里的。当将芯片焊接在引线框架上时，用于焊接的铅锡等焊料容易溢到防水槽中，进而会将防水槽填平，焊料甚至会在引线框架上大面积铺展，使防水槽失去锁料和防水的功能。

同时，用于封装功率半导体器件的塑封外壳的材质为树脂，引线框架的材质为铜，由于树脂与铜之间的结合能力较好，因此塑封外壳可以将引线框架稳定的覆盖起来。但是铅锡等焊料与树脂之间的结合能力较差，因此当防水槽被焊料填平，或者焊料在引线框架上大面积铺展后，塑封外壳与引线框架之间的接触面积减少，封装后的功率半导体器件会分层，而功率半导体器件在使用过程中，分层位置处易集中热量，进而易导致功率半导体器件因过热而失效。

因此现有技术的成品质量较低且使用寿命不长。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种引线框架和功率半导体器件，以解决现有技术由于芯片焊接过程中易溢料进而导致封装功率半导体器件质量较低且使用寿命不长的技术问题。

本实用新型提供一种引线框架，包括框架和挡墙；

挡墙设置在框架上，挡墙为环形，芯片能够安装在挡墙围成的环形中。

进一步的，挡墙的顶边上沿挡墙的高度方向开设有第一凹槽。

进一步的，第一凹槽的纵截面为V形。

进一步的，挡墙的横截面的形状为回字形。

进一步的，挡墙的内侧壁与芯片的侧边之间具有间隔。

进一步的，挡墙的侧壁与框架垂直。

进一步的，架上背离挡墙的一侧设置有第二凹槽。

进一步的，第二凹槽为环形。

进一步的，第二凹槽围成的环形与挡墙围成的环形相同。

本实用新型提供一种功率半导体器件，包括芯片、外壳和上述技术方案中任一项所述的引线框架；

芯片焊接在引线框架上，且芯片位于挡墙中；外壳注塑在引线框架上，以覆盖芯片。

本实用新型所提供的引线框架和功率半导体器件能产生如下有益效果：

本实用新型提供的引线框架包括框架和挡墙，挡墙设置在框架上，挡墙为环形，芯片能够安装在挡墙围成的环形中。

在将芯片焊接到框架上时，可以向挡墙中点涂焊料，再将芯片焊接在环形挡墙中，挡墙可以挡住焊料，使焊料不会溢到挡墙上方或者挡墙之外的位置处。因此挡墙不仅可以防止水分浸染芯片，起到防水的作用，还可以在将外壳注塑在引线框架上时，使外壳与引线框架之间无焊料的影响，在注塑好外壳后，不会产生分层。且将外壳注塑在引线框架上时，树脂会与挡墙结合，由于挡墙的存在，成型后的外壳与引线框架之间接触面积会增大，挡墙可以使外壳与引线框架之间的结合更牢固，因此挡墙可以起到锁料的作用。