[实用新型]一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池有效
| 申请号： | 201920569978.8 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN209561421U | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 吴俊旻;洪布双;张鹏;尹丙伟;王岚;张元秋 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 汤春微 |
| 地址： | 610299 四川省成都市双流*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本实用新型 太阳能电池 减反射层 二氧化硅层 隧穿氧化物 正面电极 钝化 晶体硅太阳能电池 金属接触区域 背面电极 背面钝化 层叠设置 复合损失 硅片正面 基底接触 转换效率 钝化层 基底 减小 穿透 电池 | ||
1.一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池，其特征在于：包括正面电极(1)、减反射层一(2)、N型重掺杂硅层(5)、P型硅基底(6)、Al2O3钝化层(8)、减反射层二(9)、背面电极(10)，所述减反射层一(2)、N型重掺杂硅层(5)、P型硅基底(6)、Al2O3钝化层(8)、减反射层二(9)、背面电极(10)依次层叠设置，N型重掺杂硅层(5)还层叠设置有N型重掺杂多晶硅层(3)以及SiO2层(4)，SiO2层(4)与P型硅基底(6)接触设置，正面电极(1)穿透减反射层一(2)与N型重掺杂多晶硅层(3)相接触。
2.如权利要求1所述的一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池，其特征在于：P型硅基底(6)靠近Al2O3钝化层(8)的背面嵌设有P型重掺杂硅层(7)，背面电极(10)依次穿过减反射层二(9)、Al2O3钝化层(8)与P型重掺杂硅层(7)相接触。
3.如权利要求1或2所述的一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池，其特征在于：所述Al2O3钝化层(8)的厚度为3-10nm，减反射层一(2)、减反射层二(9)均为SiNx减反射层，SiNx减反射层的厚度为100-150nm。
4.如权利要求1所述的一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池，其特征在于：所述N型重掺杂多晶硅层(3)的厚度为15-300nm，SiO2层(4)的厚度为0.3-3nm。
5.如权利要求1所述的一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池，其特征在于：所述正面电极(1)采用Ag栅指电极，背面电极(10)采用Al电极。
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