[实用新型]一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池

说明书

本实用新型公开了一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池，属于晶体硅太阳能电池技术领域，其目的在于解决现有技术中太阳能电池背面钝化效果差的问题，本实用新型包括正面电极、减反射层一、N型重掺杂硅层、P型硅基底、Al₂O₃钝化层、减反射层二、背面电极，N型重掺杂硅层还层叠设置有N型重掺杂多晶硅层以及SiO₂层，SiO₂层与P型硅基底接触设置，正面电极穿透减反射层一与N型重掺杂多晶硅层相接触。本实用新型通过在硅片正面先形成二氧化硅层，再于二氧化硅层上形成N型重掺杂多晶硅层，进而减小了金属接触区域的复合损失，进而提升了电池的转换效率。

技术领域

本实用新型属于晶体硅太阳能电池技术领域，具体涉及一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池。

背景技术

目前太阳能电池主要以晶体硅作为基底材料，由于在硅片表面周期性破坏，会产生大量垂悬键(dangling bond)，使得晶体表面存在大量位于带隙中的缺陷能级；除此之外，位错、化学残留物、表面金属的沉积均会导入缺陷能级，使得硅片表面成为复合中心，造成较大的表面复合速率，进而限制了转换效率。背钝化太阳能电池在正面镀膜SiNx，背面镀膜Al203、SiNx迭层，减小表面复合的速率效果一般。除此之外，由于太阳能电池正面为太阳光直接入射的吸光面，钝化层设计必须考虑光吸收问题，这使得正面钝化层的研究受到了很大的限制。

现有技术的背钝化(PERC)太阳能电池的主要制程为：制绒、磷扩散、背面刻蚀、退火、背面镀膜Al203、背面镀膜SiNx、正面镀膜SiNx、背面钝化层激光开槽、印刷正背面电极电场、高温烧结，最后形成背钝化太阳能电池。由于在电池背面，沉积了绝缘的钝化层，必须通过激光刻蚀，选择性刻蚀掉部分钝化层，让硅层裸露，再将背电场铝浆印刷在激光刻蚀区，与硅层形成直接接触，从而实现导电。因此，背面激光刻蚀区，由于部分钝化层被去除，钝化能力下降，直接影响了整体的背面钝化的效果，导致降低了电池的转换效率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于：解决现有技术中太阳能电池背面钝化效果差的问题，提供一种钝化效果更好、转换效率更高的P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池。

本实用新型采用的技术方案如下：

一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池，包括正面电极、减反射层一、N型重掺杂硅层、P型硅基底、Al₂O₃钝化层、减反射层二、背面电极，所述减反射层一、N型重掺杂硅层、P型硅基底、Al₂O₃钝化层、减反射层二、背面电极依次层叠设置，N型重掺杂硅层还层叠设置有N型重掺杂多晶硅层以及SiO₂层，SiO₂层与P型硅基底接触设置，正面电极穿透减反射层一与N型重掺杂多晶硅层相接触。

作为优选的，P型硅基底靠近Al₂O₃钝化层的背面嵌设有P型重掺杂硅层，背面电极依次穿过减反射层二、Al₂O₃钝化层与P型重掺杂硅层相接触。

作为优选的，所述Al₂O₃钝化层的厚度为3-10nm，所述减反射层一以及减反射层二均为SiN_x减反射层，SiN_x减反射层的厚度为100-150nm。

作为优选的，所述N型重掺杂多晶硅层的厚度为15-300nm，SiO₂层的厚度为0.3-3nm。

作为优选的，所述正面电极采用Ag栅指电极，背面电极采用Al电极。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：