[实用新型]太阳能电池及太阳能电池组件

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池(100)包括衬底(110)及设于所述衬底(110)表面的太阳能电池芯片(140)，所述衬底(110)包括基板(112)及设于所述基板(112)表面的二氧化硅层(114)，所述太阳能电池芯片(140)设于所述二氧化硅层(114)的表面，所述二氧化硅层(114)的厚度为27nm～440nm。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池芯片(140)为薄膜硅太阳能电池芯片。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池芯片(140)包括第一透明导电层(141)、非晶硅薄膜层(143)及第二透明导电层(145)。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层(141)为TCO层、ITO层、AZO层或ZnO层；及/或

所述第二透明导电层(145)为TCO层、ITO层、AZO层或ZnO层。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述非晶硅薄膜层(143)的厚度为150nm～180nm。

6.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能芯片包括第一透明导电层、非晶硅薄膜层、微晶硅薄膜层及第二透明导电层。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层为TCO层、ITO层、AZO层或ZnO层；及/或

所述第二透明导电层为TCO层、ITO层、AZO层或ZnO层。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述非晶硅薄膜层的厚度为150nm～180nm，所述微晶硅薄膜层的厚度为780nm～840nm。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，

所述二氧化硅层(114)的厚度为27nm～53nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为53nm～73nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为73nm～97nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为97nm～100nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为100nm～120nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为120nm～130nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为130nm～150nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为150nm～160nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为160nm～170nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为170nm～200nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为200nm～240nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为240nm～250nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为250nm～280nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为280nm～310nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为310nm～330nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为330nm～370nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为370nm～400nm；或

所述二氧化硅层(114)的厚度为400nm～440nm。

10.一种太阳能电池组件，其特征在于，包括权利要求1～9任一项所述的太阳能电池(100)。