[实用新型]太阳能电池及太阳能电池组件有效
申请号: | 201920574737.2 | 申请日: | 2019-04-24 |
公开(公告)号: | CN210379061U | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 李刚;陈宗洋;赖辉龙;黄健航;薛雪;黄亮 | 申请(专利权)人: | 北京汉能光伏技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 101499 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 | ||
本实用新型公开了一种太阳能电池及太阳能电池组件。一种太阳能电池,所述太阳能电池包括衬底及设于所述衬底表面的太阳能电池芯片,所述衬底包括基板及设于所述基板表面的二氧化硅层,所述太阳能电池芯片设于所述二氧化硅层的表面,所述二氧化硅层的厚度为27nm~440nm。上述的太阳能电池,衬底包括基板及设于基板表面的二氧化硅层,二氧化硅层的颜色随着厚度的增加会发生变化,能给予太阳能电池一定颜色可选择性。
技术领域
本实用新型涉及太阳能技术领域,尤其涉及一种太阳能电池及太阳能电池组件。
背景技术
太阳能资源丰富,分布广泛,是一种最具有发展潜力的可再生资源。随着全球能源短缺和环境污染等问题目益突出,太阳能发电因其清洁、安全、便利、高效的特点,已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。
太阳能电池能将光能转换为电能而得到了广泛的应用。一般而言,太阳能电池包括衬底及电池芯片。由于受电池芯片结构及材质的限制,整个太阳能电池的颜色较为单一,这样就限制了太阳能电池的应用。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种能给予一定颜色可选择性的太阳能电池及太阳能电池组件。
一种太阳能电池,所述太阳能电池包括衬底及设于所述衬底表面的太阳能电池芯片,所述衬底包括基板及设于所述基板表面的二氧化硅层,所述太阳能电池芯片设于所述二氧化硅层的表面,所述二氧化硅层的厚度为27nm~440nm。
上述的太阳能电池,衬底包括基板及设于基板表面的二氧化硅层,二氧化硅层的颜色随着厚度的增加会发生变化,能给予太阳能电池一定颜色可选择性;比如二氧化硅层的厚度小于27nm呈现硅本色,二氧化硅层的厚度为27nm~53nm则呈现棕色,二氧化硅层的厚度为53nm~73nm呈现金褐色,二氧化硅层的厚度为73nm~97nm呈现红色,二氧化硅层的厚度为97nm~100nm呈现深蓝色,二氧化硅层的厚度为100nm~120nm呈现蓝色,二氧化硅层的厚度为120nm~130nm呈现灰蓝色,二氧化硅层的厚度为130nm~150nm呈现深灰蓝色,二氧化硅层的厚度为150nm~160nm呈现硅本色,二氧化硅层的厚度为160nm~170nm呈现浅黄色,二氧化硅层的厚度为170nm~200nm呈现黄色,二氧化硅层的厚度为200nm~240nm呈现桔红色,二氧化硅层的厚度为240nm~250nm呈现红色,二氧化硅层的厚度为250nm~280nm呈现暗红色,二氧化硅层的厚度为280nm~310nm呈现蓝色,二氧化硅层的厚度为310nm~330nm呈现蓝绿色,二氧化硅层的厚度为330nm~370nm呈现浅绿色,二氧化硅层的厚度为370nm~400nm呈现桔黄色,二氧化硅层的厚度为400nm~440nm呈现红色,从而可以通过调整二氧化硅层的厚度实现太阳能电池多颜色的呈现。
一种太阳能电池组件,包括上述的太阳能电池。
本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本实用新型技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本实用新型的技术方案,并不构成对本实用新型技术方案的限制。
图1为一实施方式的太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例的附图,对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的