[实用新型]液体处理装置有效
申请号: | 201920580093.8 | 申请日: | 2019-04-25 |
公开(公告)号: | CN209804605U | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | 守田聪;绪方信博;长峰秀一;清田健司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 排气通路 液体处理部 共通 外部气体 调整阀 吸入量 被处理体 开闭机构 吸入部 开度 吸入 液体处理装置 方式设置 环境气体 液体处理 自由开闭 处理液 排出 排气 连通 | ||
一种液体处理装置,其包含:液体处理部,其具有多个,对被处理体供给处理液并对被处理体进行液体处理;共通排气通路,其与多个液体处理部分别连接,将多个液体处理部内的环境气体排出;个别排气通路,其将各个液体处理部与共通排气通路连接;开闭机构,其以可自由开闭的方式设置在个别排气通路上;外部气体吸入部,其将外部气体吸入共通排气通路;吸入量调整阀,其设置于共通排气通路,调整从外部气体吸入部吸入的外部气体的流量;以及控制部,其以随着通过开闭机构与共通排气通路连通的液体处理部的个数的减少,使吸入量调整阀的开度变大的方式,控制吸入量调整阀的开度。
技术领域
本实用新型涉及一种对被处理体进行液体处理的液体处理装置。
背景技术
在半导体器件等产品的制造工序中,包含有液体处理工序,其对半导体晶圆(以下简称为晶圆)等被处理体的表面,供给药液或纯水等处理液,以除去晶圆上附着的颗粒或污染物质。作为实施这样的液体处理步骤的液体处理装置中的一种,存在在使晶圆旋转的同时对该晶圆表面供给处理液来进行液体处理的液体处理装置。在这种液体处理装置中,为了增加每单位时间的晶圆处理数量(处理量),会设置多台(例如4~5台)可实施同种液体处理的液体处理单元(液体处理部),利用共通的搬运机构,将晶圆搬运到各个液体处理单元,并在多台液体处理单元并行地进行对晶圆的液体处理。
这样的液体处理单元例如具备:旋转卡盘,其用于载置晶圆,并使其旋转;以及杯体,其设置成包围被保持于旋转卡盘的晶圆,并回收被供给到晶圆表面后飞散开的处理液。作为处理液,可以使用酸性药液或碱性药液等,也可以根据处理的情况,对晶圆W选择性地供给药液。
在此,在专利文献1中,记载了一种液体处理装置,其是将多个液体处理单元水平地配置的同时,还具备酸性药液用的排气管路以及碱性药液用的排气管路。例如,对于酸性药液用的排气管路,各液体处理单元与酸排气管相连,该酸排气管用于将进行酸性处理时的液体处理单元内的环境气体按照各个液体处理单元分别排出,各酸排气管与酸排气总管连接,各液体处理单元内的环境气体通过各酸排气管,由酸排气总管一起排出。此外,在各酸排气管设有根据与其对应的液体处理单元中进行的液体处理的种类而进行开闭的阀门。进而,对各液体处理单元,常时从气流导入部持续导入结净的空气,以保持各液体处理单元内的洁净度。
专利文献1:日本特开2008-34490号公报
实用新型内容
然而,在上述液体处理装置中,酸排气总管的排气量是一定的。因此,当设置于各酸排气管的阀门中的一个被关闭时,与其他阀门对应的液体处理单元的排气量会增加,会产生该液体处理单元内的压力发生变动而降低的问题。这种情况下,存在从外部有空气混入该液体处理单元内,使得液体处理单元内的洁净度降低的可能性。
本实用新型是鉴于上述问题而完成的,其目的在于,提供能够抑制对被处理体进行液体处理时液体处理部内的压力的变动的液体处理装置。
为实现上述目的,本实用新型涉及的液体处理装置包含:液体处理部,其具有多个,对被处理体供给处理液并对所述被处理体进行液体处理;共通排气通路,其与多个所述液体处理部分别连接,将多个所述液体处理部内的环境气体排出;个别排气通路,其将各个所述液体处理部与所述共通排气通路连接;开闭机构,其以可自由开闭的方式设置在所述个别排气通路上;外部气体吸入部,其将外部气体吸入所述共通排气通路;吸入量调整阀,其设置于所述共通排气通路,调整从所述外部气体吸入部吸入的外部气体的流量;以及控制部,其以随着通过所述开闭机构与所述共通排气通路连通的所述液体处理部的个数的减少,使所述吸入量调整阀的开度变大的方式,控制所述吸入量调整阀的开度。
本实用新型涉及的液体处理装置,优选地,所述吸入量调整阀在所述共通排气通路中,配置在比来自各个所述液体处理部的排气的合流点更靠排气方向的上游侧的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造