[实用新型]一种联合扰动式混沌激光发生器

权利要求书

1.一种联合扰动式混沌激光发生器，其特征在于，所述混沌激光发生器包括：第一激光器组件(1)和第二激光器组件(2)，所述第一激光器组件(1)和所述第二激光器组件(2)相对设置；

所述第一激光器组件(1)包括第一集成芯片(11)，所述第二激光器组件(2)包括第二集成芯片(21)，所述第一集成芯片(11)和所述第二集成芯片(21)均为分布式布拉格反射激光器DBR与半导体放大器SOA的集成芯片；

所述第一集成芯片(11)的SOA与所述第二集成芯片(21)的SOA通过折射率匹配胶对接耦合，形成互注入和光反馈式结构。

2.根据权利要求1所述的混沌激光发生器，其特征在于，所述第一集成芯片(11)的SOA端面与所述第二集成芯片(21)的SOA端面的间距为3μm～5μm。

3.根据权利要求1所述的混沌激光发生器，其特征在于，所述第一集成芯片(11)的SOA与所述第二集成芯片(21)的SOA的波导倾斜角度均为7°±0.1°；所述第一集成芯片(11)的SOA与所述第二集成芯片(21)的SOA的水平发散角均为30°±1°；所述第一集成芯片(11)的SOA与所述第二集成芯片(21)的SOA的垂直发散角均为52°±1°。

4.根据权利要求1所述的混沌激光发生器，其特征在于，所述第一集成芯片(11)的SOA与所述第二集成芯片(21)的SOA的端面镀反射膜，所述反射膜的折射率为1.48±0.05。

5.根据权利要求1所述的混沌激光发生器，其特征在于，填充在所述第一集成芯片(11)的SOA与所述第二集成芯片(21)的SOA之间的折射率匹配胶的折射率为1.48±0.05。

6.根据权利要求1～5任一项所述的混沌激光发生器，其特征在于，所述第一激光器组件(1)包括第一支撑平台(12)、第一尾纤(13)和第一会聚透镜(14)，其中，所述第一尾纤(13)上设置有准直透镜；

所述第一尾纤(13)、所述第一会聚透镜(14)和所述第一集成芯片(11)均设置在所述第一支撑平台(12)上，所述第一集成芯片(11)设置在所述第一支撑平台(12)的边缘处；

所述第一会聚透镜(14)设置在所述第一尾纤(13)和所述第一集成芯片(11)之间，且所述第一集成芯片(11)的DBR区邻近所述第一会聚透镜(14)设置。

7.根据权利要求6所述的混沌激光发生器，其特征在于，所述第一激光器组件(1)还包括第一过渡块(15)和第一垫块(16)，所述第一过渡块(15)和所述第一垫块(16)设置在所述第一支撑平台(12)上，所述第一集成芯片(11)设置在所述第一过渡块(15)上，所述第一会聚透镜(14)设置在所述第一垫块(16)上。

8.根据权利要求6所述的混沌激光发生器，其特征在于，所述第一激光器组件(1)还包括第一软带(17)，所述第一软带(17)与所述第一集成芯片(11)连接；

所述第一软带(17)用于对所述第一集成芯片(11)的DBR区、SOA区和增益区施加电流。

9.根据权利要求1～5任一项所述的混沌激光发生器，其特征在于，所述第二激光器组件(2)包括第二支撑平台(22)、第二尾纤(23)和第二会聚透镜(24)，其中，所述第二尾纤(23)上设置有准直透镜；

所述第二尾纤(23)、第二会聚透镜(24)和所述第二集成芯片(21)均设置在所述第二支撑平台(22)上，所述第二集成芯片(21)设置在所述第二支撑平台(22)的边缘处；

所述第二会聚透镜(24)设置在所述第二尾纤(23)和所述第二集成芯片(21)之间，且所述第二集成芯片(21)的DBR区邻近所述第二会聚透镜(24)设置。

10.根据权利要求1～5任一项所述的混沌激光发生器，其特征在于，所述混沌激光发生器还包括耦合过渡块(3)和温度调节组件，所述第一激光器组件(1)和第二激光器组件(2)设置在所述耦合过渡块(3)上；

所述耦合过渡块(3)设置在所述温度调节组件上，所述温度调节组件用于调节所述第一激光器组件(1)和所述第二激光器组件(2)的工作温度。