[实用新型]一种联合扰动式混沌激光发生器

说明书

本实用新型公开了一种联合扰动式混沌激光发生器，该混沌激光发生器包括：第一激光器组件和第二激光器组件，第一激光器组件和第二激光器组件相对设置；第一激光器组件包括第一集成芯片，第二激光器组件包括第二集成芯片，第一集成芯片和第二集成芯片均为分布式布拉格反射激光器DBR与半导体放大器SOA的集成芯片；第一集成芯片的SOA与第二集成芯片的SOA通过折射率匹配胶对接耦合，形成互注入和光反馈式结构。本实用新型的混沌激光发生器通过折射率匹配胶完成第一激光器组件和第二激光器组件的耦合，可以大大提高耦合效率和耦合的质量，适用于大批量生产使用。

技术领域

本实用新型属于激光器领域，更具体地，涉及一种联合扰动式混沌激光发生器。

背景技术

混沌激光作为激光器输出的一种特殊形式，具有类噪声宽频谱的特性，天生具备隐蔽性，应用性强。近年来，随着混沌激光理论体系的逐步建立和完善，混沌激光的发展应用成为研究热点。半导体激光器因具有体积小、成本低、可靠性高、易集成、可直接调制等优点，成为混沌激光产生的优势激光器件，广泛应用于保密通信、激光测距、断点检测、对激光相干长度任意调控等方面。分布式布拉格反射(Distributed Bragg Reflector，简写为DBR)激光器作为半导体激光器的一种，内置了布拉格光栅，具有可实现动态单纵模窄线宽输出、波长稳定性好、动态谱线好等优点，是混沌激光产生的首选光器件。

为产生混沌激光，2008年，A.Argyris等人提出新型单片光子集成芯片(A.Argyriset al.,“Photonic integrated device for chaos applications in communications”,Physical Review Letters,100(19):194101,2008.)；2010年，V.Z.Tronciu等人提出了带有空气隙的多反馈单片集成混沌半导体芯片(V.Tronciu et al.,“Chaos generation andsynchronization using an integrated source with an air gap”,IEEE Journal ofQuantum Electronics,46(12):1840-1846,2010.)；2013年，吴加贵等人研制了三段式单片集成半导体激光器芯片(J.G.Wu et al.,“Direct generation of broadband chaos by amonolithic integrated semiconductor laser chip”,Optics Express,21(20):23358-23364,2013.)；2014年，Sunada等人研制出二维外腔结构的单片集成混沌激光器芯片(S.Sunada et al.,“A compact chaotic laser device with a two-dimensionalexternal cavity structure”,Applied Physics Letters,104(24):241105,2014.)；2014年，太原理工大学采用掺铒无源光波导作为连续散射体构成连续分布式反馈腔，提出了光子集成混沌半导体激光器(专利号：ZL104158085A)；2017年，张明江等人提出混合集成短腔混沌半导体激光器芯片(M.J.Zhang et al.,“A hybrid integrated short-external-cavity chaotic semiconductor laser”,IEEE Photonics Technology Letters,29(21):1911-1914,2017.)。

但是，以上集成混沌激光器结构复杂，制作工艺难度高，耦合效率低，不利于实际应用。

鉴于此，克服该现有技术所存在的缺陷是本技术领域亟待解决的问题。

实用新型内容