[实用新型]一种校正晶圆位置的装置

说明书

本实用新型提供一种校正晶圆位置的装置，包括：若干调整棒，所述调整棒贯穿晶圆目标位置所在的平面并与所述晶圆目标位置所在的平面垂直，所述晶圆目标位置包括等距分布的若干切点，所述若干调整棒各自沿经过所述晶圆目标位置的所述切点的切线方向运动，以将晶圆校正至所述目标位置；动力装置，所述动力装置驱动所述调整棒沿切线方向运动。本实用新型的校正晶圆位置的装置能校正晶圆的位置，提高清洗效率，降低破片的概率，采用本装置校正晶圆位置前不需要检测晶圆的位置，从而节省时间，而且本装置的控制简单。

技术领域

本实用新型属于半导体设备制造领域，特别是涉及一种校正晶圆位置的装置。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆通过清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂和平坦化等工艺形成IC产品，在这些工艺中都对晶圆的位置有严格的要求，位置有偏差会影响工作效率，还会导致破片，所以校正晶圆位置在半导体设备中尤为重要。现有的清洗晶圆设备腔室内无法确定晶圆的位置，导致清洗不均匀，还会导致破片。

基于以上所述，本实用新型的目的是给出一种校正晶圆位置的装置，以解决现有技术的无法判断晶圆位置，清洗效率低，破片几率大等问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种校正晶圆位置的装置，用于解决现有技术中无法判断晶圆位置，清洗效率低，破片几率大等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种校正晶圆位置的装置，包括：

若干调整棒，所述调整棒贯穿晶圆目标位置所在的平面并与所述晶圆目标位置所在的平面垂直，所述晶圆目标位置包括等距分布的若干切点，所述若干调整棒各自沿经过所述晶圆目标位置的所述切点的切线方向运动，以将晶圆校正至所述目标位置；

动力装置，所述动力装置驱动所述调整棒沿切线方向运动。

可选地，所述调整棒的数量包括至少3个。

可选地，所述调整棒的数量为3个，3个所述调整棒的运动方向形成一等边三角形，所述晶圆目标位置为所述等边三角形的内切圆。

可选地，所述调整棒的材质包括聚氯乙烯。

可选地，所述切线方向包括第一位置及第二位置，所述第一位置和所述第二位置分布于所述切点的两侧，在校正晶圆位置时，所述调整棒由第一位置沿其对应的切线方向运动至第二位置，再由所述第二位置沿其对应的切线方向运动至所述第一位置。

可选地，所述若干调整棒同时经过所述切点位置。

可选地，所述动力装置包括气缸。

可选地，所述调整棒的下端与所述气缸连接，所述气缸的数量与所述调整棒的数量相同，所述调整棒沿着所述气缸的缸筒运动。

可选地，所述调整棒运动于所述切点位置时也位于所述缸筒的中心位置。

可选地，所述气缸包括磁偶式无杆气缸。

可选地，所述气缸包括缸筒、磁块、磁环，所述缸筒包括非铁磁性物质，所述磁块位于所述缸筒内部，所述磁环套于所述缸筒外部，所述磁环与所述调整棒连接，所述磁块牵引着所述磁环从而驱动所述调整棒沿着所述缸筒运动。

可选地，所述气缸的两端连接有气体源，以向所述缸筒内输送具有一定压强的气体从而推动所述磁块运动，所述气缸与所述气体源之间具有阀门，以控制气体输送的通断，所述气体源包括被压缩的干燥气体源，所述阀门包括电磁阀门。