[实用新型]一种可并联组合的整流二极管芯片

权利要求书

1.一种可并联组合的整流二极管，其特征在于：包括一硅片衬底，所述硅片衬底的下表面通过第一掺杂形成一下部扩散区，硅片衬底的上表面通过第二掺杂形成水平间隔设置的两上部扩散区，且所述上部扩散区与所述下部扩散区在上下方向上间隔设置；

其中，两所述上部扩散区的边缘区域开有沟槽；所述硅片衬底上表面于两所述上部扩散区的周边区域以及所述沟槽的表面覆盖有一层多晶硅钝化复合薄膜层；

所述沟槽中还填充有玻璃胶，并通过高温烧结形成致密的玻璃钝化层；

所述下部扩散区以及两所述上部扩散区的表面均沉积有金属层，分别形成金属电极。

2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：所述硅片衬底为N 型〈111〉晶向，所述第一掺杂为磷杂质掺杂或砷杂质掺杂，所述下部扩散区为N+区，其掺杂浓度至少10²¹atm/cm³，扩散深度为30~50μm；所述第二掺杂为硼杂质掺杂或镓杂质掺杂，所述上部扩散区为P+区，其掺杂浓度至少10²¹atm/cm³，扩散深度为50~70μm。

3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：所述硅片衬底为P 型〈111〉晶向，所述第一掺杂为硼杂质掺杂或镓杂质掺杂，所述下部扩散区为P+区，其掺杂浓度至少10²¹atm/cm³，扩散深度为30~50μm；所述第二掺杂为磷杂质掺杂或砷杂质掺杂，所述上部扩散区为N+区，其掺杂浓度至少10²¹atm/cm³，扩散深度为50~70μm。

4.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：两所述上部扩散区之间的距离为200~300um。

5.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：所述沟槽的深度为20~40um。

6.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：所述玻璃胶的厚度为25~35μm。