[实用新型]一种可并联组合的整流二极管芯片

说明书

一种可并联组合的整流二极管芯片，包括硅片衬底，其下表面通过第一掺杂形成下部扩散区，其上表面通过第二掺杂形成水平间隔的两上部扩散区，且上部扩散区与下部扩散区上下间隔；两上部扩散区的边缘区域开有沟槽；硅片衬底上表面于两上部扩散区的周边区域及沟槽的表面覆盖有多晶硅钝化复合薄膜层；沟槽中还填充有玻璃胶，并通过高温烧结形成玻璃钝化层；下部扩散区及两上部扩散区的表面均沉积有金属层分别形成金属电极。本实用新型具有工艺简单、集成度高、体积小且品质高等优点。

技术领域

本实用新型涉及一种二极管制造工艺，具体涉及一种可并联组合的整流二极管芯片。

背景技术

二极管广泛应用在各种电路中，可以说凡有电路处皆有二极管，利用其单向导通的特性把交流电转化为直流电，使电路的终端部件可以获得稳定的直流电输入。现有整流二极管的制造方法是以N 型〈111〉晶向单晶硅片为基本材料，在该硅片的上表面进行一次硼掺杂形成平的P 区，然后在下表面进行一次磷扩散形成平的N 区，然后再进行光刻、金属化、合金等工序，最终形成二极管的PN 结构和电极金属，制成整流二极管。

现有技术的不足包括：

一、当需要组成桥式整流电路时，通常需要四个独立的二极管进行电连接，不利于产品的小型化，且工艺流程复杂，制造成本较高；

二、现有二极管结构存在侧壁的漏电流，器件可靠性低；

三、上述现有二极管在工作的过程中，反向截止，正向导通，在正向电流导通过程中由于其自身的正向压降存在，二极管会不断发热，P=U*I（这里U 是正向压降，I 是代表正常工作的电流）。二极管发热的这部分功耗不但由于持续的发热而影响器件的可靠性和使用寿命，而且消耗大量无谓的能量，这和目前绿色节能的环保要求显得格格不入。

因此，如何解决上述现有技术存在的不足，便成为本实用新型所要研究解决的课题。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种可并联组合的整流二极管芯片。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种可并联组合的整流二极管芯片，包括一硅片衬底，所述硅片衬底的下表面通过第一掺杂形成一下部扩散区，硅片衬底的上表面通过第二掺杂形成水平间隔设置的两上部扩散区，且所述上部扩散区与所述下部扩散区在上下方向上间隔设置；

其中，两所述上部扩散区的边缘区域开有沟槽；

所述硅片衬底上表面于两所述上部扩散区的周边区域以及所述沟槽的表面覆盖有一层多晶硅钝化复合薄膜层；所述沟槽中还填充有玻璃胶，并通过高温烧结形成致密的玻璃钝化层；

所述下部扩散区以及两所述上部扩散区的表面均沉积有金属层，分别形成金属电极。

上述技术方案中的有关内容解释如下：

1．上述方案中，所述沟槽的深度为20~40um。

2．上述方案中，所述玻璃胶的厚度为25~35μm。

3．上述方案中，两所述上部扩散区之间的距离为200~300um。

4．上述方案中，所述硅片衬底为N 型〈111〉晶向，所述第一掺杂为磷杂质掺杂或砷杂质掺杂，所述下部扩散区为N+区，其掺杂浓度至少10²¹atm/cm³，扩散深度为30~50μm；所述第二掺杂为硼杂质掺杂或镓杂质掺杂，所述上部扩散区为P+区，其掺杂浓度至少10²¹atm/cm³，扩散深度为50~70μm。