[实用新型]一种多芯片焊接结构有效

专利信息
申请号: 201920614453.1 申请日: 2019-04-29
公开(公告)号: CN209675286U 公开(公告)日: 2019-11-22
发明(设计)人: 李晓白;朱连迎;栗伟斌;程仕红;舒雄;李建强;云星 申请(专利权)人: 深圳米飞泰克科技有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/495;H01L23/488
代理公司: 44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司 代理人: 王善娜<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 植球 芯片 输出压力 引线键合 键合 引线键合方式 导电连线 焊接结构 失效几率 直接输送 传统的 多芯片 故障率
【说明书】:

一种多芯片焊接结构,通过在引线键合前先加入设于第一芯片的第一植球和设于第二芯片的带有第二植球本体和第一导电连线的第二植球,利用第一植球和第二植球来承受第一芯片和第二芯片间因引线键合而带来的压力,避免了采用引线键合方式连接两个或多个芯片时导致的较大的输出压力直接输送到芯片上,从而解决了传统的技术方案中的存在同介质因输出压力不同而造成键合失效几率增加、键合质量低以及故障率高的问题。

技术领域

实用新型属于集成电路技术领域,尤其涉及一种多芯片焊接结构。

背景技术

目前,传统的集成电路的焊接一般是采用超声方式直接引线键合,即通过超声功率电源输出频率稳定的超声频交流电信号,经超声换能器转变为机械振动,振幅经超声杆放大后传递给焊接劈刀,使两种金属接触面产生摩擦,振动摩擦能消除焊接区氧化膜及杂质,使交界面发生塑性变形达到原子间的结合,而高温能加速原子结合。但是在具有两个或多颗芯片进行互联焊接时,直接在芯片上采用传统的引线键合方式会导致同介质因输出压力不同而造成键合失效几率增加,影响键合质量,故障率高。

因此,传统的技术方案中存在同介质因输出压力不同而造成键合失效几率增加、键合质量低以及故障率高的问题。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型实施例提供了一种多芯片焊接结构,旨在解决传统的技术方案中存在的同介质因输出压力不同而造成键合失效几率增加、键合质量低以及故障率高的问题。

本实用新型实施例提供了一种多芯片焊接结构,包括载体,设置有安装芯片的基岛区域;第一芯片,所述第一芯片的第一表面贴设于所述基岛区域上;第二芯片,所述第二芯片的第一表面贴设于所述基岛区域上,且所述第一芯片和所述第二芯片以缝隙相互间隔设置;第一植球,所述第一植球设于所述第一芯片上的与所述第一表面相对的第二表面;以及第二植球,包括设于所述第二芯片上的与所述第一表面相对的第二表面的第二植球本体,以及由所述第二植球本体往外延伸与所述第一植球连接的第一导电连线。

在一个实施例中,所述第一芯片和所述第二芯片在所述芯片安装区域内错位相对。

在一个实施例中,所述第一植球位于所述第一芯片的第二表面上的焊盘;所述第二植球本体位于所述第二芯片的第二表面上的焊盘。

在一个实施例中,所述载体还包括多个沿所述基岛区域外围设置的引脚,所述引脚包括引脚本体与所述引脚本体相互连接的引脚焊盘,各个所述引脚焊盘位于靠近所述基岛区域的内侧,所述各个所述引脚焊盘与所述第一芯片和/或第二芯片分别通过相互独立的导电体电连接。

在一个实施例中,各个所述导电体包括第三植球本体和由所述第三植球本体往外延伸第二导电连线,各个所述第三植球与所述第一芯片的第二表面上的焊盘和/或所述第二芯片的第二表面上的焊盘焊接,各个所述第二导电连线远离所述第三植球本体的一端与各个引脚焊盘焊接。

在一个实施例中,所述第一导电连线和所述第二导电连线呈弧形。

在一个实施例中,各个所述导电体通过引线键合的方式连接各个所述引脚焊盘和所述第一芯片的第二表面上的焊盘、所述第一芯片的第二表面上的第一植球、所述第二芯片的第二表面上的焊盘、所述第二芯片的第二表面上所述第二植球中至少一种。

在一个实施例中,多芯片焊接结构还包括固定胶,所述固定胶设于所述基岛区域与所述第一芯片的第一表面之间以及所述基岛与和所述第二芯片的第一表面之间,所述固定胶用以将所述第一芯片和所述第二芯片分别固定于所述基岛区域上。

在一个实施例中,所述固定胶为结合胶中的一种。

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