[实用新型]一种用于碳化硅外延的气体分流装置

说明书

本实用新型主要应用于半导件外延生长设备，具体涉及一种用于碳化硅外延的气体分流装置。包括分流腔室；分流腔室前端设有分流板与分流罩，分流腔室分流板上设有若干横向的通孔；分流罩内部中空并设有两个横向的隔板，将罩体按1：3：1体积比隔开；分流腔室内在相应位置也设有两块隔板，将分流腔室分为三部分，各个部分后端各设有一根金属波纹卡套管；分流腔室外部设有锁紧装置。本实用新型结构简单，设计合理，实现难度不大，维护方便。

技术领域

本实用新型主要应用于半导件外延生长设备，具体涉及一种用于碳化硅外延的气体分流装置。

背景技术

外延生长时，碳化硅基片置于气浮石墨盘上旋转，温度加热到1600℃-1650℃左右，承载碳硅原子的氢气载流体，流过碳化硅基片上方然后在温度等复杂的环境下沉积到碳化硅基片上，这里就要求气流的宽度需大于碳化硅基片直径。碳化硅外延片目前主流的直径尺寸有4寸和6寸，由于直径的不同，所需通过的气流宽度也就不同，当然在6寸气流宽度下，可以实现4寸的外延生长，但是6寸的宽度比4寸的大34％，所以会造成34％的气体浪费，同时多出来的34％气体沉积在石墨件上，对生产维护增加难度，影响石墨件的使用寿命，增加生产成本。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，克服现有技术中的不足，提供一种用于碳化硅外延的气体分流装置。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的解决方案是：

提供一种用于碳化硅外延的气体分流装置，包括分流腔室；分流腔室前端设有分流板与分流罩，分流腔室分流板上设有若干横向的通孔；分流罩内部中空并设有两个横向的隔板，将罩体按1：3：1体积比隔开；分流腔室内在相应位置也设有两块隔板，将分流腔室分为三部分，各个部分后端各设有一根金属波纹卡套管；分流腔室外部设有锁紧装置。

作为一种改进，分流罩为中空的长方体，分流罩前端设有内凹台阶，台阶处装设有导流套。

作为一种改进，锁紧装置包括锁紧杆，分流腔室两端各设计导向孔，锁紧杆设于分流腔室顶端与底端的安装孔内；弹簧穿过锁紧杆拉紧，弹簧一端压紧分流腔室，一端压紧预紧螺母。锁紧杆采用耐蚀性更好的316材质，并对表面做电化学抛光处理，表面光洁要求在0.25-0.4um。

作为一种改进，分流腔室底部设有支撑板，支撑板托住分流罩。

作为一种改进，分流罩一端有翻边，翻边被锁紧杆压住。

作为一种改进，分流罩与分流腔室通过密封件密封。密封件通常是洁净度要求比较高的氟橡胶材质的O形圈，也可以是金属垫片。分流腔室一侧有安装密封件的凹槽，凹槽包围三个内凹腔室。

作为一种改进，支撑板与分流腔室通过螺钉联接。支撑板采用耐蚀性更好的316材质，并对表面做电化学抛光处理，表面光洁要求在0.25-0.4um。

作为一种改进，金属波纹卡套管与分流腔室通过支撑垫片密封。金属波纹卡套管两头焊接VCR接头。

作为一种改进，锁紧杆一头焊接压紧块，一头为螺纹设计，呈7字形；分流腔室压紧块设有用于导向的锥度或圆弧过渡的凸台。

作为一种改进，分流腔室的两端腔室大于4寸，一般尺寸为100mm～120mm；中间腔室宽度大于6寸，一般为150mm～200mm。

分流板采用耐蚀性更好的316材质，并对表面做电化学抛光处理，表面光洁要求在0.25-0.4um。

与现有技术相比，本实用新型的技术效果是：

本实用新型结构简单，设计合理，实现难度不大，维护方便。

附图说明

图1为本实用新型装置全剖视图；

图2为本实用新型装置正视图；