[实用新型]一种中频振荡器有效
申请号: | 201920656479.2 | 申请日: | 2019-05-08 |
公开(公告)号: | CN209692704U | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 李勃轶 | 申请(专利权)人: | 成都淞源电子科技有限公司 |
主分类号: | H03B5/24 | 分类号: | H03B5/24;H04L27/04 |
代理公司: | 51251 成都三诚知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 成实;曾娟<国际申请>=<国际公布>=< |
地址: | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 中频信号 多谐振荡电路 发生电路 本实用新型 中频振荡器 调制 电路 输出方波信号 电源电路 强度调节 输出 电源 | ||
1.一种中频振荡器,其特征在于:包括中频信号发生电路,用于产生中频信号;
多谐振荡电路,与中频信号发生电路连接,用于输出方波信号以对中频信号的振幅进行调制;
电源电路,与多谐振荡电路连接,用于给中频振荡器提供电源;
调节电路,与中频信号发生电路连接,用于根据输出的中频信号来调节中频信号的输出强度。
2.根据权利要求1所述的一种中频振荡器,其特征在于:所述中频信号发生电路包括三极管VT3,一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端与多谐振荡电路连接的电阻R7,串接在三极管VT3的集电极和基极之间的电阻R8,一端与三极管VT3的基极相连接、另一端接地的电容C5,一端与三极管VT3的集电极连接、另一端经电容C6后接地的电容C4,以及一端与三极管VT3的基极连接、另一端与电容C4和电容C6的连接点连接的陶瓷谐振器X;所述三极管VT3的发射极接地,其集电极与调节电路连接;电容C4和电容C6的连接点与调节电路连接。
3.根据权利要求2所述的一种中频振荡器,其特征在于:所述多谐振荡电路包括三极管VT1,三极管VT2,一端与三极管VT1的集电极连接、另一端经电阻R2后与三极管VT2的基极连接的电阻R1,串接在三极管VT1的集电极和三极管VT2的基极之间的电容C2,一端与电阻R1和电阻R2的连接点连接、另一端与三极管VT1的基极连接的电阻R3,串接在三极管VT1的基极和三极管VT2的集电极之间的电容C3,一端与电阻R1和电阻R2的连接点连接、另一端经电阻R4后与三极管VT2的集电极连接的电阻R5,N极接地、P极经电阻R6后与电阻R1和电阻R2的连接点连接的二极管D2;所述电阻R1和电阻R2的连接点与电源电路连接;三极管VT1和三极管VT2的发射极均接地。
4.根据权利要求3所述的一种中频振荡器,其特征在于:所述电源电路包括电源B,N极经电阻R6后与二极管D2的P极连接、P极经形状S后与电源B的正极连接的二极管D1,以及正极与二极管D1的N极相连接、负极接地的极性电容C1;电源B的负极接地。
5.根据权利要求4所述的一种中频振荡器,其特征在于:所述调节电路包括场效应管MOS,天线T,一端与三极管VT3的集电极连接、另一端与场效应管MOS的漏极连接的电位器R9,一端与场效应管MOS的源极连接、另一端经电容C8后与天线T连接的电容C7,一端与电容C7和电容C8的连接点连接、另一端接地的电阻R10,以及一端与天线T连接、另一端接地的电阻R11;所述电位器R9的滑动端与三极管VT3的集电极连接;场效应管MOS的栅极与电容C4和电容C6的连接点连接,天线T还与场效应管MOS的栅极连接。
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