[实用新型]一种中频振荡器

说明书

本实用新型公开了一种中频振荡器，其特征在于：包括中频信号发生电路，用于产生中频信号；多谐振荡电路，与中频信号发生电路连接，用于输出方波信号以对中频信号的振幅进行调制；电源电路，与多谐振荡电路连接，用于给中频振荡器提供电源；调节电路，与中频信号发生电路连接，用于根据输出的中频信号来调节中频信号的输出强度。本实用新型通过多谐振荡电路对中频信号进行调制，提高中频信号的稳定性；同时通过调节电路可以实现对中频信号的强度调节。

技术领域

本实用新型涉及振荡器领域，具体提供一种中频振荡器。

背景技术

目前中频振荡器已被广泛应用于通讯系统当中，其用于产生重复的输出信号。虽然中频振荡器已广泛使用，但传统的中频振荡器在提高振荡器可靠性及输出信号幅度稳定性方面表现较差，并且无法很好的调节其振荡强度，影响了其使用性能。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述缺陷，提供一种能够提高可靠性及输出信号幅度稳定性，并能调节其振荡强度的中频振荡器。

本实用新型通过下述技术方案来实现：一种中频振荡器，包括中频信号发生电路，用于产生中频信号；

多谐振荡电路，与中频信号发生电路连接，用于输出方波信号以对中频信号的振幅进行调制；

电源电路，与多谐振荡电路连接，用于给中频振荡器提供电源；

调节电路，与中频信号发生电路连接，用于根据输出的中频信号来调节中频信号的输出强度。

进一步的，所述中频信号发生电路包括三极管VT3，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端与多谐振荡电路连接的电阻R7，串接在三极管VT3的集电极和基极之间的电阻R8，一端与三极管VT3的基极相连接、另一端接地的电容C5，一端与三极管VT3的集电极连接、另一端经电容C6后接地的电容C4，以及一端与三极管VT3的基极连接、另一端与电容C4和电容C6的连接点连接的陶瓷谐振器X；所述三极管VT3的发射极接地，其集电极与调节电路连接；电容C4和电容C6的连接点与调节电路连接。

所述多谐振荡电路包括三极管VT1，三极管VT2，一端与三极管VT1的集电极连接、另一端经电阻R2后与三极管VT2的基极连接的电阻R1，串接在三极管VT1的集电极和三极管VT2的基极之间的电容C2，一端与电阻R1和电阻R2的连接点连接、另一端与三极管VT1的基极连接的电阻R3，串接在三极管VT1的基极和三极管VT2的集电极之间的电容C3，一端与电阻R1和电阻R2的连接点连接、另一端经电阻R4后与三极管VT2的集电极连接的电阻R5，N极接地、P极经电阻R6后与电阻R1和电阻R2的连接点连接的二极管D2；所述电阻R1和电阻R2的连接点与电源电路连接；三极管VT1和三极管VT2的发射极均接地。

所述电源电路包括电源B，N极经电阻R6后与二极管D2的P极连接、P极经形状S后与电源B的正极连接的二极管D1，以及正极与二极管D1的N极相连接、负极接地的极性电容C1；电源B的负极接地。

所述调节电路包括场效应管MOS，天线T，一端与三极管VT3的集电极连接、另一端与场效应管MOS的漏极连接的电位器R9，一端与场效应管MOS的源极连接、另一端经电容C8后与天线T连接的电容C7，一端与电容C7和电容C8的连接点连接、另一端接地的电阻R10，以及一端与天线T连接、另一端接地的电阻R11；所述电位器R9的滑动端与三极管VT3的集电极连接；场效应管MOS的栅极与电容C4和电容C6的连接点连接，天线T还与场效应管MOS的栅极连接。

本实用新型较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：本实用新型通过多谐振荡电路对中频信号进行调制，提高中频信号的稳定性；同时通过调节电路可以实现对中频信号的强度调节。

附图说明

图1为本实用新型的结构图。

具体实施方式