[实用新型]一种高效隔热半导体芯片有效
申请号: | 201920670592.6 | 申请日: | 2019-05-10 |
公开(公告)号: | CN209785919U | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 冯小桃;何天文;陆冀成 | 申请(专利权)人: | 深圳市佰誉科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;H01L23/367 |
代理公司: | 11638 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体芯片 固定设置 隔热层 第二金属层 第一金属层 热反射层 芯片层 本实用新型 半导体层 散热性能 隔热的 铝布线 隔热 通孔 芯片 | ||
本实用新型涉及半导体芯片技术领域,尤其为一种高效隔热半导体芯片,包括半导体芯片主体,所述半导体芯片主体位于芯片层的上侧固定设置有第一金属层,所述半导体芯片主体位于第一金属层的上侧固定设置有第一隔热层,所述半导体芯片主体位于第一隔热层的上侧固定设置有第一热反射层,所述半导体芯片主体位于半导体层的下侧固定设置有第二金属层,所述半导体芯片主体位于第二金属层的下侧固定设置有第二隔热层,所述半导体芯片主体位于第二隔热层的下侧固定设置有第二热反射层,所述半导体芯片主体通过通孔与芯片层固定连接有铝布线,通过该半导体芯片不仅具有对芯片的散热性能,还具有对外界热量进行隔热的性能。
技术领域
本实用新型涉及半导体芯片技术领域,具体为一种高效隔热半导体芯片。
背景技术
半导体芯片:在半导体片材上进行浸蚀,布线,制成的能实现某种功能的半导体器件。不只是硅芯片,常见的还包括砷化镓(砷化镓有毒,所以一些劣质电路板不要好奇分解它),锗等半导体材料。半导体也像汽车有潮流。二十世纪七十年代,因特尔等美国企业在动态随机存取内存(D-RAM)市场占上风。但由于大型计算机的出现,需要高性能D-RAM的二十世纪八十年代,日本企业名列前茅。
现有的半导体芯片的隔热效果较差,因此需要一种高效隔热半导体芯片对上述问题做出改善。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种高效隔热半导体芯片,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种高效隔热半导体芯片,包括半导体芯片主体,所述半导体芯片主体包括芯片层和半导体层,所述半导体层固定设置有在芯片层的下侧,所述半导体芯片主体位于芯片层的上侧固定设置有第一金属层,所述半导体芯片主体位于第一金属层的上侧固定设置有第一隔热层,所述半导体芯片主体位于第一隔热层的上侧固定设置有第一热反射层,所述半导体芯片主体位于半导体层的下侧固定设置有第二金属层,所述半导体芯片主体位于第二金属层的下侧固定设置有第二隔热层,所述半导体芯片主体位于第二隔热层的下侧固定设置有第二热反射层,所述半导体芯片主体位于第二热反射层的下侧固定设置有陶瓷基底,所述半导体芯片主体的两侧中间处固定开设有通孔,所述半导体芯片主体的左侧通过通孔与芯片层固定连接有第一铝布线,所述半导体芯片主体的右侧通过通孔与芯片层固定连接有第二铝布线。
优选的,所述第一隔热层和第二隔热层采用纤维材料制造。
优选的,所述芯片层与半导体层一体设置,并且所述芯片层与半导体层位于半导体芯片主体的中间处设置。
优选的,所述第一热反射层和第二热反射层采用镀金属的聚酯、聚酰亚胺薄膜制造。
优选的,所述第一金属层和第二金属层采用金属铜材质制造。
优选的,所述芯片层设置有多晶硅栅极层,并且所述芯片层通过多晶硅栅极层与第一铝布线和第二铝布线连接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型中,通过设置的第一金属层和第二金属层能够对芯片层产生的热量进行传导散热,能够有效提高芯片的工作效率,通过设置的第一隔热层和第二隔热层采用纤维材料制造,本身含有孔隙,能够利用自身的孔隙进行隔热,使芯片具有较好的隔热,通过设置的第一热反射层和第二热反射层,具有很高的热反射系数,能够将外部的热量进行反射,提高芯片的工作环境和效率。
2、本实用新型中,通过设置的该半导体芯片不仅具有对芯片的散热性能,还具有对外界热量进行隔热的性能。
附图说明
图1为本实用新型整体主视图;
图2为本实用新型整体结构图;
图3为本实用新型整体侧视图。
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