[实用新型]一种高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管

权利要求书

1.高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管，包括引线框架和塑封体，其特征在于，所述引线框架上设置有对应塑封体的芯片焊接位，芯片焊接位内设置有二极管芯片单元，二极管芯片单元的外侧设置有全包封玻璃钝化层；二极管芯片单元的一面固定焊接在引线框架的芯片焊接位内，另一面连接有跳片且跳片延伸出全包封玻璃钝化层；

二极管芯片单元包括至少一个二极管芯片，二极管芯片的两侧对称设置有钼片，两钼片分别通过焊片与位于二极管芯片两侧的芯片焊接位和跳片焊接连接。

2.根据权利要求1所述的高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管，其特征在于，所述引线框架中部位置引出一条阴极引线，阴极引线延伸出塑封体。

3.根据权利要求1或2所述的高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管，其特征在于，所述二极管芯片设置有一个，跳片采用单跳片，单跳片是由芯片连接部和位于芯片连接部下端的阳极引出部组成的叉型结构，芯片连接部与二极管芯片连接。

4.根据权利要求3所述的高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管，其特征在于，所述阳极引出部是由阳极引出子部一和阳极引出子部二组成的U型结构，阳极引出子部一和阳极引出子部二分别引出一条阳极引线，阳极引线延伸出塑封体。

5.根据权利要求1或2所述的高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管，其特征在于，所述二极管芯片设置有两个，两二极管芯片相并联连接且两二极管芯片共用阴极；

跳片设置有两个，两跳片分别为跳片一和跳片二，跳片一和跳片二分别引出一条阳极引线，阳极引线延伸出塑封体。

6.根据权利要求5所述的高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管，其特征在于，所述跳片一和跳片二均包括依次连接的头端方形连接部、过渡连接部一、竖直连接部、过渡连接部二和尾端方形连接部，头端方形连接部用于连接二极管芯片，过渡连接部一、竖直连接部和过渡连接部二用于连接头端方形连接部和尾端方形连接部，尾端方形连接部用于连接阳极引线。

7.根据权利要求1所述的高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管，其特征在于，所述引线框架的中间位置设置有安装孔。

8.根据权利要求1所述的高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管，其特征在于，所述引线框架采用无氧铜框架；焊片采用铜银磷合金高温焊片。

9.根据权利要求1所述的高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管，其特征在于，所述二极管芯片采用镀铝二极管芯片，二极管芯片与钼片熔融焊接连接。

10.根据权利要求1所述的高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管，其特征在于，所述钼片与引线框架采用通过焊片钎焊焊接连接。