[实用新型]一种高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管

说明书

本实用新型公开了一种高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管，属于半导体，本实用新型要解决的技术问题为如何能够为充分发挥硅芯片的最高工作结温以及提高器件的可靠性，同时降低成本，采用的技术方案为：其结构包括引线框架和塑封体，所述引线框架上设置有对应塑封体的芯片焊接位，芯片焊接位内设置有二极管芯片单元，二极管芯片单元的外侧设置有全包封玻璃钝化层；二极管芯片单元的一面固定焊接在引线框架的芯片焊接位内，另一面连接有跳片且跳片延伸出全包封玻璃钝化层；二极管芯片单元包括至少一个二极管芯片，二极管芯片的两侧对称设置有钼片，两钼片分别通过焊片与位于二极管芯片两侧的芯片焊接位和跳片焊接连接。

技术领域

本实用新型涉及半导体，具体地说是一种高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管。

背景技术

随着我国半导体行业蓬勃发展，由半导体材料制作的功率电子元器件如二极管，MOSFET、IGBT等在汽车电子、医疗器械、智能家电、充电设备、工业自动化、电源系统、网络通讯等领域的应用越来越广泛，由于该功率电子器件在应用端承担着功率转换，输出推动等关键作用，对其可靠性有着极高的要求。

在现有的以塑封为主的硅功率二极管整流器系列，其标准的最高工作温度一般是150℃，这一标准不能满足像汽车电子、医疗、航天、航空等高等级领域的要求。现有的全金属空封或陶瓷封装具有很高的可靠性，但其成本太高，也不利于推广应用。

现有的二极管工艺所采用的芯片主要有：玻璃钝化(GPP)芯片、酸洗扩散片、外延平面等结构；芯片焊接工艺基本采用铅锡银焊料，溶化温度360℃左右，封装采用环氧塑封料，可靠性仅能够满足普通产品的可靠性要求，但不能适应高端领域如汽车电子、智能系统、军用设备需要更等级的应用。

现有的塑封二极管由于采用铜框架或铜引线，芯片焊接通常采用铅锡银焊料(熔点为：320℃-385℃)，封装采用塑封材料。使得芯片的工作温度最高为 150℃，使用可靠性不高，故如何能够为充分发挥硅芯片的最高工作结温(TJ： 175℃)以及提高器件的可靠性，使二极管满足像汽车电子、医疗、航天、航空等高等级领域的要求，同时降低成本，实现大范围推广应用是目前现有技术中急需解决的技术问题。

专利号为CN204045599U的专利文献公开了一种双芯片高反压塑封功率二极管，属于半导体器件技术领域。其由圆柱形双芯片、上下干字头铜导线、铅锡银焊片、芯片保护胶、非空腔圆柱形塑封体和负极色环标识构成，所述上下干字头铜导线的上台面与双芯片两面之间通过铅锡银焊片焊接固定，所述干字头铜导线之间的双芯片、铅锡银焊片和干字头铜导线上台面用保护胶包封塑封装在环氧树脂塑封料内。但是该技术方案不能满足像汽车电子、医疗、航天、航空等高等级领域的要求，同时存在成本高，可靠性差，不利于推广应用的缺点。

发明内容

本实用新型的技术任务是提供一种高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管，来解决如何能够为充分发挥硅芯片的最高工作结温(TJ：175℃) 以及提高器件的可靠性，使二极管满足像汽车电子、医疗、航天、航空等高等级领域的要求，同时降低成本，实现大范围推广应用的问题。

本实用新型的技术任务是按以下方式实现的，高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管，包括引线框架和塑封体，所述引线框架上设置有对应塑封体的芯片焊接位，芯片焊接位内设置有二极管芯片单元，二极管芯片单元的外侧设置有全包封玻璃钝化层；二极管芯片单元的一面固定焊接在引线框架的芯片焊接位内，另一面连接有跳片且跳片延伸出全包封玻璃钝化层；

二极管芯片单元包括至少一个二极管芯片，二极管芯片的两侧对称设置有钼片，两钼片分别通过焊片与位于二极管芯片两侧的芯片焊接位和跳片焊接连接。

作为优选，所述引线框架中部位置引出一条阴极引线，阴极引线延伸出塑封体。

作为优选，所述二极管芯片设置有一个，跳片采用单跳片，单跳片是由芯片连接部和位于芯片连接部下端的阳极引出部组成的叉型结构，芯片连接部与二极管芯片连接。