[实用新型]低电压宽带宽高速电流采样电路

权利要求书

1.一种低电压宽带宽高速电流采样电路，其特征在于，所述低电压宽带宽高速电流采样电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第一电阻以及第二电阻；

所述第一晶体管的源极连接至所述第十晶体管的源极，并作为第一输入端，所述第一晶体管的栅极分别连接至所述第二晶体管的栅极、所述第四晶体管的漏极及所述第一电阻的第二端，所述第一晶体管的漏极连接至所述第三晶体管的源极；

所述第二晶体管的源极作为第二输入端，所述第二晶体管的漏接连接至所述第四晶体管的源极；

所述第三晶体管的栅极分别连接至所述第四晶体管的栅极、所述第六晶体管的漏极及所述第一电阻的第一端，所述第三晶体管的漏极分别连接至所述第五晶体管的漏极及所述第九晶体管的栅极；

所述第五晶体管的栅极连接至所述第六晶体管的栅极，并作为第一偏置电压的输入，所述第五晶体管的源极连接至所述第七晶体管的漏极；

所述第六晶体管的源极连接至所述第八晶体管的漏极；

所述第七晶体管的栅极连接至所述第八晶体管的栅极，并作为第二偏置电压的输入；

所述第七晶体管的源极、所述第八晶体管的源极、所述第九晶体管的源极、所述第十一晶体管的源极及所述第十二晶体管的源极均连接至电源电压；

所述第九晶体管的漏极分别连接至所述第十晶体管的栅极及所述第二电阻的第二端，所述第二电阻的第一端连接至接地；

所述第十晶体管的漏极分别连接至所述第十一晶体管的栅极和漏极及所述第十二晶体管的栅极；

所述第十二晶体管的漏极作为输出端。

2.根据权利要求1所述的低电压宽带宽高速电流采样电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管以及所述第十晶体管均为NMOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的低电压宽带宽高速电流采样电路，其特征在于，所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十一晶体管以及所述第十二晶体管均为PMOS晶体管。