[实用新型]低电压宽带宽高速电流采样电路

说明书

本实用新型提供了一种低电压宽带宽高速电流采样电路，其包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第一电阻以及第二电阻。与相关技术相比，本实用新型的低电压宽带宽高速电流采样电路，其能够在电源电压低的情况下正常工作，同时能够进行高速采样。

【技术领域】

本实用新型涉及芯片领域，尤其涉及一种用于电流采样的低电压宽带宽高速电流采样电路。

【背景技术】

随着物联网、智能手机、可穿戴装置、电动工具、无人机等可移动设备的发展，开关电源芯片被广泛应用于移动设备中，其需求越来越大。由于开关电源的效率比线性稳压电源的效率高，其耗电能力也更强，为了保证移动设备能够长时间供电，一般通过降低耗电设备的功耗或通过提高供电系统的效率的方式来提高固定容量电池的供电能力。

相关技术中，使用开关电源变换器能够有效地提高供电系统的效率，当中，具有峰值电流模DC-DC架构的开关电源变换器的使用最为广泛；该具有峰值电流模DC-DC架构的开关电源变换器往往需要通过电流采样电路对功率管的进行电流采样。

然而，相关技术的所述电流采样电路，要么其工作的电源电压较高，无法在低电压的情况下正常工作；要么其带宽较小，无法实现高速采样。

因此，实有必要提供一种新的低电压宽带宽高速电流采样电路解决上述技术问题。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于提供一种低电压宽带宽高速电流采样电路，其能够在电源电压低的情况下正常工作，同时能够对电流进行高速采样。

为达到上述目的，本实用新型提供一种低电压宽带宽高速电流采样电路，其包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第一电阻以及第二电阻；

所述第一晶体管的源极连接至所述第十晶体管的源极，并作为第一输入端，所述第一晶体管的栅极分别连接至所述第二晶体管的栅极、所述第四晶体管的漏极及所述第一电阻的第二端，所述第一晶体管的漏极连接至所述第三晶体管的源极；

所述第二晶体管的源极作为第二输入端，所述第二晶体管的漏接连接至所述第四晶体管的源极；

所述第三晶体管的栅极分别连接至所述第四晶体管的栅极、所述第六晶体管的漏极及所述第一电阻的第一端，所述第三晶体管的漏极分别连接至所述第五晶体管的漏极及所述第九晶体管的栅极；

所述第五晶体管的栅极连接至所述第六晶体管的栅极，并作为第一偏置电压的输入，所述第五晶体管的源极连接至所述第七晶体管的漏极；

所述第六晶体管的源极连接至所述第八晶体管的漏极；

所述第七晶体管的栅极连接至所述第八晶体管的栅极，并作为第二偏置电压的输入；

所述第七晶体管的源极、所述第八晶体管的源极、所述第九晶体管的源极、所述第十一晶体管的源极及所述第十二晶体管的源极均连接至电源电压；

所述第九晶体管的漏极分别连接至所述第十晶体管的栅极及所述第二电阻的第二端，所述第二电阻的第一端连接至接地；

所述第十晶体管的漏极分别连接至所述第十一晶体管的栅极和漏极及所述第十二晶体管的栅极；

所述第十二晶体管的漏极作为输出端。

优选的，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管以及所述第十晶体管均为NMOS晶体管。

优选的，所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十一晶体管以及所述第十二晶体管均为PMOS晶体管。