[实用新型]一种双面钝化接触的P型高效电池有效
| 申请号： | 201920755594.5 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN209592051U | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 王涛;余波;杨蕾;张鹏 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（安徽）有限公司;通威太阳能（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 张玺 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超薄氧化硅 本实用新型 高效电池 双面钝化 钝化 背面 表面钝化效果 电池转换效率 背面铝背场 隧道氧化层 背面设置 表面复合 接触结构 金属栅线 两侧设置 正反两面 正面设置 硅表面 氧化层 硅基 减小 电池 金属 | ||
【权利要求书】：
1.一种双面钝化接触的P型高效电池，包括P型单晶硅(1)，其特征在于：所述P型单晶硅(1)正面设置有N型发射极(4)，所述N型发射极(4)远离P型单晶硅(1)设置有正面超薄氧化硅层(2)，所述正面超薄氧化硅层(2)上方设置有N型多晶硅层(3)，且正面超薄氧化硅层(2)同一平面的两侧设置有氧化层(5)，所述N型多晶硅层(3)和氧化层(5)上方设置有SiNx减反射层(8)，且N型多晶硅层(3)上设置有Ag栅线(9)，所述Ag栅线(9)穿过SiNx减反射层(8)连接于N型多晶硅层(3)上；
所述P型单晶硅(1)背面设置有背面超薄氧化硅层(6)，所述背面超薄氧化硅层(6)远离P型单晶硅(1)一侧设置有P型多晶硅层(7)，所述P型多晶硅层(7)下方设置有Al背场(10)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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