[实用新型]超声波蚀刻装置有效
| 申请号： | 201920758651.5 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN209607710U | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 黄国栋 | 申请（专利权）人： | 深圳天华机器设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 林栋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超声波发生器 传送件 蚀刻 蚀刻装置 相对设置 超声波 蚀刻槽 本实用新型 生产效率 正反两面 蚀刻液 架设 | ||
1.超声波蚀刻装置，包括机架和设于机架上的蚀刻槽，其特征在于：还包括传送件和设于机架上的上超声波发生器以及下超声波发生器，所述传送件架设于所述蚀刻槽内，所述上超声波发生器设于所述传送件的上方，所述下超声波发生器设于传送件的下方，所述上超声波发生器与下超声波发生器相对设置。
2.根据权利要求1所述的超声波蚀刻装置，其特征在于：还包括固定于机架上的储液槽和水泵，所述水泵连通所述储液槽和蚀刻槽。
3.根据权利要求2所述的超声波蚀刻装置，其特征在于：所述蚀刻槽位于所述储液槽的上方。
4.根据权利要求2所述的超声波蚀刻装置，其特征在于：还包括水刀，所述水泵的出水口设有所述水刀。
5.根据权利要求2所述的超声波蚀刻装置，其特征在于：还包括过滤器，所述水泵的出水口设有所述过滤器。
6.根据权利要求1所述的超声波蚀刻装置，其特征在于：所述传送件包括相对设置的上滚轮和下滚轮。
7.根据权利要求6所述的超声波蚀刻装置，其特征在于：还包括挡水滚轮，所述上滚轮的两端以及下滚轮的两端均设有所述挡水滚轮。
8.根据权利要求7所述的超声波蚀刻装置，其特征在于：还包括设于蚀刻槽上的挡水板，所述挡水板靠近所述挡水滚轮设置。
9.根据权利要求1所述的超声波蚀刻装置，其特征在于：还包括水位感应器，所述蚀刻槽的内壁上设有所述水位感应器。
10.根据权利要求9所述的超声波蚀刻装置，其特征在于：所述水位感应器与上超声波发生器齐平设置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
