[实用新型]喷淋头装置及MOCVD设备有效
申请号: | 201920781858.4 | 申请日: | 2019-05-28 |
公开(公告)号: | CN210001931U | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 贾蕾;童翔 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 102200 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封闭空间 固定部件 喷淋头装置 旋转部件 喷淋板 进气口 本实用新型 动密封结构 流场均匀性 密封对接 源利用率 自身轴线 出气口 均匀性 混气 喷出 连通 | ||
本实用新型提供一种喷淋头装置及MOCVD设备,该喷淋头装置包括固定部件(1)和旋转部件(2),固定部件(1)和旋转部件(2)通过第一动密封结构(3)密封对接,形成一封闭空间(4),其中,在固定部件(1)中设置有进气口(5),该进气口(5)与封闭空间(4)连通;旋转部件(2)包括位于封闭空间(4)底部的喷淋板(21),该喷淋板(21)能够相对于固定部件(1)围绕自身轴线旋转,且在喷淋板(21)中设置有多个出气口(211),用于将封闭空间(4)中的气体喷出。本实用新型提供的喷淋头装置,可以提高混气均匀性,从而可以流场均匀性和气源利用率。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及一种喷淋头装置及MOCVD设备。
背景技术
金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,以下简称MOCVD)是制备化合物半导体薄膜材料和器件的一种气相外延新技术,近年来在外延生长GaN、GaAs、InP等的化合物半导体领域起到了重要作用。MOCVD反应腔室的流场均匀性很大程度上影响了外延薄膜的晶体质量,尤其是衬底表面附近气流的均匀性直接影响了沉积膜层的厚度均匀性,从而影响了光电器件的性能。
反应腔室中的气流形成稳定的层流是薄膜生长的基本要求,气流不稳定、气体浓度不均匀均会造成薄膜厚度不均匀。为此,现有的MOCVD反应腔室多采用垂直进气的喷淋头结构,但是,由于现有的喷淋头结构的混气均匀性较差,仍然会存在流场不均匀、气源利用率不高的问题。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种喷淋头装置及MOCVD设备,其可以提高混气均匀性,从而可以流场均匀性和气源利用率。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种喷淋头装置,包括固定部件和旋转部件,所述固定部件和旋转部件通过第一动密封结构密封对接,形成一封闭空间,其中,
在所述固定部件中设置有进气口,所述进气口与所述封闭空间连通;
所述旋转部件包括位于所述封闭空间底部的喷淋板,所述喷淋板能够相对于所述固定部件围绕自身轴线旋转,且在所述喷淋板中设置有多个出气口,用于将所述封闭空间中的气体喷出。
可选的,所述喷淋头装置还包括旋转驱动机构,所述旋转驱动机构包括旋转轴和第二动密封结构,其中,
所述旋转轴可围绕其轴线旋转;
在所述固定部件中设置有安装孔,所述旋转轴竖直穿设于所述安装孔中,且所述旋转轴的下端与所述喷淋板连接;所述旋转轴的轴线与所述喷淋板的轴线重合;
所述第二动密封结构用于对所述旋转轴与所述安装孔之间的间隙进行密封。
可选的,所述第一动密封结构包括磁流体密封件;所述第二动密封结构包括磁流体密封件。
可选的,在所述固定部件中设置有用于输送冷却媒介的冷却通道,及分别与所述冷却通道的两端连通的入口和出口。
可选的,所述喷淋头装置还包括气帘结构,所述气帘结构包括环绕设置在所述喷淋板的周围的多个喷气口,多个所述喷气口用于喷出非反应气体,以在所述喷淋板的周围形成气帘。
可选的,所述旋转部件还包括第一环形侧壁,所述第一环形侧壁的下端与所述喷淋板连为一体,所述第一环形侧壁的上端与所述固定部件对接,且所述固定部件、所述第一环形侧壁和所述喷淋板形成所述封闭空间;所述第一动密封结构设置在所述第一环形侧壁与所述固定部件的两个对接面之间。
可选的,所述固定部件包括顶板和第二环形侧壁,所述第二环形侧壁的上端与所述顶板连为一体,所述第二环形侧壁的下端与所述喷淋板密封对接,且所述顶板、所述第二环形侧壁和所述喷淋板形成所述封闭空间。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的