[实用新型]一种晶圆级封装结构有效
| 申请号： | 201920789427.2 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN209963047U | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 李春阳;方梁洪;刘明明;任超;彭祎;刘凤 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/482;H01L23/488 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属种子层 芯片单元 焊盘开口 再钝化层 焊盘 覆盖 本实用新型 导电凸块 重布线层 光阻层 晶圆 芯片 整体散热能力 电镀工艺 封装结构 种晶 背面 暴露 | ||
1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：
晶圆，所述晶圆上设置有若干个芯片单元，所述芯片单元上包括至少一个焊盘；
再钝化层，所述再钝化层覆盖在所述芯片单元和所述焊盘，其中所述再钝化层暴露焊盘开口；
第一金属种子层，所述第一金属种子层覆盖所述再钝化层和所述焊盘开口；
光阻层，所述光阻层覆盖所述第一金属种子层，用于将光刻版上的图形转移到所述芯片单元上；
导电凸块，所述导电凸块设置在所述焊盘开口上；
第二金属种子层，所述第二金属种子层覆盖所述芯片单元所在焊盘的另一侧；
重布线层，所述重布线层覆盖所述第二金属种子层。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装结构，其特征在于，所述焊盘开口为所述再钝化层通过曝光、显影形成。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一金属种子层和第二金属种子层均为铜钛种子层。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆级封装结构，其特征在于，所述铜钛种子层通过溅射方式形成。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装结构，其特征在于，所述光阻层暴露所述焊盘开口。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装结构，其特征在于，所述重布线层为电镀形成。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装结构，其特征在于，所述导电凸块通过将电镀的锡回流形成。
8.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装结构，其特征在于，还包括保护层，所述保护层设置在所述芯片单元所在焊盘一侧的表面，并在所述芯片单元的另一侧电镀完成后剥除。
9.根据权利要求8所述的一种晶圆级封装结构，其特征在于，所述保护层材质为树脂材料。
10.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装结构，其特征在于，还包括平面层，所述平面层覆盖所述光阻层，并将所述焊盘开口暴露出来。
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