[实用新型]一种晶圆级封装结构

说明书

本实用新型公开了一种晶圆级封装结构，包括：晶圆，所述晶圆上设置有若干个芯片单元，所述芯片单元上包括至少一个焊盘；再钝化层，所述再钝化层覆盖在所述芯片单元和所述焊盘，并暴露焊盘开口；第一金属种子层，所述第一金属种子层覆盖所述再钝化层和所述焊盘开口；光阻层，所述光阻层覆盖所述第一金属种子层；导电凸块，所述导电凸块设置在所述焊盘开口上；第二金属种子层，所述第二金属种子层覆盖所述芯片单元所在焊盘的另一侧；重布线层，所述重布线层覆盖所述第二金属种子层，本实用新型通过在芯片的背面布局电镀工艺，可以提高芯片的整体散热能力，从而提高产品的性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶圆级封装结构。

背景技术

使电子产品小、轻和具有高性能的愿望已经发展为使电子部件小、轻以及具有高性能。这样的愿望使得各种封装技术的制程的发展、以及半导体设计和制造相关的技术的发展。封装技术的代表性实施例包括球栅阵列(Ball Grid Array，BGA)、倒装芯片(flipchip)、基于区域阵列和表面贴装(surfa ce-mount)封装的芯片级封装(Chi p ScalePackage，CSP)。

在上述的封装技术中，芯片级封装为可使封装小到与研发的真实芯片一样的大小的封装技术。特别地，晶圆级芯片级封装(Wafer-Level Chip Scale Package，WLCSP)中，在晶圆级执行封装以便每个芯片的成本可显著降低。WLCSP对整片晶圆进行封装测试后再切割得到单个成品芯片的封装技术，封装后的芯片尺寸与裸片一致。晶圆级封装顺应了市场对微电子产品日益轻、薄、短、小和低价化要求，因此一经问世便快速的发展，引领了先进封装的发展潮流。

近年来，随着电子产品多样化以及集成化。对芯片的散热和芯片集成系统化封装要求更高。而转化到封装层面，单面的封装很难满足高集成度的性能需求，因此在需要通过双面封装实现芯片散热或功能面导通等方面的需求。

发明内容

针对现有技术的上述问题，本实用新型的目的在于，提供一种晶圆级封装结构，用于解决在芯片双面都有散热或功能导通的需求的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型的具体技术方案如下：

本实用新型提供一种晶圆级封装结构，所述结构包括：

晶圆，所述晶圆上设置有若干个芯片单元，所述芯片单元上包括至少一个焊盘；

再钝化层，所述再钝化层覆盖在所述芯片单元和所述焊盘，其中所述再钝化层暴露焊盘开口；

第一金属种子层，所述第一金属种子层覆盖所述再钝化层和所述焊盘开口；

光阻层，所述光阻层覆盖所述第一金属种子层，用于将光刻版上的图形转移到所述芯片单元上；

导电凸块，所述导电凸块设置在所述焊盘开口上；

第二金属种子层，所述第二金属种子层覆盖所述芯片单元所在焊盘的另一侧；

重布线层，所述重布线层覆盖所述第二金属种子层。

进一步地，所述焊盘开口为所述再钝化层通过曝光、显影形成。

作为可选地，所述再钝化层为树脂材料。

具体地，所述再钝化层为聚酰亚胺。

进一步地，所述第一金属种子层和第二金属种子层均为铜钛种子层。

作为可选地，所述铜钛种子层通过溅射方式形成。

进一步地，所述光阻层暴露所述焊盘开口，所述焊盘开口用于电镀回流形成导电凸块，便于与外部组件连接。

具体地，所述重布线层为电镀形成。

具体地，所述导电凸块通过将电镀的锡回流形成。