[实用新型]热处理装置有效
申请号: | 201920808396.0 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN210325699U | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 小林聪树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
1.一种热处理装置,其特征在于,包括:
处理容器,其包括在铅垂方向延伸的圆筒状的反应管;
基片保持件,其在所述反应管的内部在铅垂方向隔开间隔地保持多个基片;
加热器,其从所述反应管的径向外侧加热所述反应管的内部;
配置在所述加热器的正下方的环状的第一隔热部;和
环状的第二隔热部,其从下方插入所述第一隔热部的开口部并沿所述第一隔热部的所述开口部的外缘部变形,
所述第一隔热部的与所述第二隔热部的接触面以及所述第二隔热部的与所述第一隔热部的接触面分别是越向上方而越向径向内侧倾斜的锥面。
2.如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于:
所述第二隔热部包括:沿所述第一隔热部的所述开口部的外缘部变形的环状的变形层;和从下方按压所述变形层的环状的底板。
3.如权利要求2所述的热处理装置,其特征在于:
所述第二隔热部具有收纳所述变形层和所述底板的网。
4.如权利要求2或3所述的热处理装置,其特征在于:
所述变形层是将毡毯状的多孔性纤维层层叠多个而成的部件。
5.如权利要求1~3中任一项所述的热处理装置,其特征在于:
所述反应管具有从下方顶推所述第二隔热部的凸缘部,
所述凸缘部从下方顶推所述第二隔热部,从而使所述第二隔热部沿所述第一隔热部的所述开口部的外缘部变形并将所述第二隔热部按压到所述反应管的外周面。
6.如权利要求1~3中任一项所述的热处理装置,其特征在于,包括:
从下方支承所述第一隔热部的加热器底板;和
环状的第三隔热部,其从下方支承所述第二隔热部并沿所述加热器底板的开口部的外缘部变形。
7.如权利要求6所述的热处理装置,其特征在于:
所述第三隔热部包括:环状的薄壁部,其沿所述加热器底板的所述开口部的外缘部变形;和从径向内侧按压所述薄壁部的环状的厚壁部,
所述薄壁部形成得比所述厚壁部薄,
所述第二隔热部设置在所述第三隔热部的所述厚壁部之上。
8.如权利要求6所述的热处理装置,其特征在于,包括:
支承板,其从下方顶推所述第三隔热部,从而使所述第三隔热部沿所述加热器底板的所述开口部的外缘部变形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造