[实用新型]热处理装置有效
| 申请号： | 201920808396.0 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN210325699U | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 小林聪树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 | ||
本实用新型提供一种热处理装置。该热处理装置包括：处理容器，其包括在铅垂方向延伸的圆筒状的反应管；基片保持件，其在所述反应管的内部在铅垂方向隔开间隔地保持多个基片；加热器，其从所述反应管的径向外侧加热所述反应管的内部；配置在所述加热器的正下方的环状的第一隔热部；和环状的第二隔热部，其从下方插入所述第一隔热部的开口部并沿述第一隔热部的所述开口部的外缘部变形，所述第一隔热部的与所述第二隔热部的接触面以及所述第二隔热部的与所述第一隔热部的接触面分别是越向上方而越向径向内侧倾斜的锥面。由此，抑制来自加热器的热向下方流出。
技术领域
本实用新型涉及一种热处理装置。
背景技术
专利文献1中记载的竖式热处理装置包括：在铅垂方向延伸的圆筒状的反应管；从反应管的径向外侧加热反应管的内部的加热器；和抑制来自加热器的热向下方流出的隔热部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-340515号公报
实用新型内容
实用新型要解决的技术问题
本实用新型的一方式提供一种能够抑制来自加热器的热向下方流出的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本实用新型的一方式的热处理装置，其包括：
处理容器，其包括在铅垂方向延伸的圆筒状的反应管；
基片保持件，其在所述反应管的内部在铅垂方向隔开间隔地保持多个基片；
加热器，其从所述反应管的径向外侧加热所述反应管的内部；
配置在所述加热器的正下方的环状的第一隔热部；和
环状的第二隔热部，其从下方插入所述第一隔热部的开口部并沿述第一隔热部的所述开口部的外缘部变形，
所述第一隔热部的与所述第二隔热部的接触面以及所述第二隔热部的与所述第一隔热部的接触面分别是越向上方而越向径向内侧倾斜的锥面。
实用新型效果
依照本实用新型的一个方式，能够抑制来自加热器的热向下方流出。
附图说明
图1是表示一实施方式的热处理装置的图。
图2是表示一实施方式的隔热结构的组装方法的图。
图3是接着图2表示一实施方式的隔热结构的组装方法的图。
图4是表示一实施方式的组装完成时的隔热结构的图。
图5是表示一实施方式的第二隔热部的图。
图6是表示一参考方式的隔热结构的组装方法的图。
图7是接着图6表示一参考方式的隔热结构的组装方法的图。
图8是表示一参考方式的组装完成时的隔热结构的图。
附图标记说明
1 热处理装置
11 反应管
15 凸缘部
50 加热器
60 第一隔热部
61 锥面
70 第二隔热部
71 锥面
72 变形层
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
