[实用新型]烘干装置及纳米银PET导电膜的智能变色膜

权利要求书

1.一种纳米银PET导电膜的智能变色膜，其特征在于，所述纳米银PET导电膜的智能变色膜包括：

上膜片，包括:

上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜；

上纳米银导电膜，设置于所述上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上；以及

调光晶体层，设置于所述上纳米银导电膜上；

下膜片，与所述上膜片复合形成一体式结构，所述下膜片包括：

下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜；

下纳米银导电膜，设置于所述下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上；以及

光学胶水层，一侧设置于所述下纳米银导电膜上，所述光学胶水层的另一侧与所述调光晶体层连接；

上引电电极，设置于所述上纳米银导电膜的一侧边缘，并与所述调光晶体层位于同侧；以及

下引电电极，设置于所述下纳米银导电膜的一侧边缘，并与所述光学胶水层位于同侧。

2.根据权利要求1所述的纳米银PET导电膜的智能变色膜，其特征在于，所述上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的厚度为25-250微米，所述上聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的可见光透过率大于93％；所述下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的厚度为25-250微米，所述下聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的可见光透过率大于93％。

3.根据权利要求1所述的纳米银PET导电膜的智能变色膜，其特征在于，所述上纳米银导电膜的厚度为50-150纳米，所述上纳米银导电膜的方块电阻小于等于100Ω/□；所述下纳米银导电膜的厚度为50-150纳米，所述下纳米银导电膜的方块电阻小于等于100Ω/□。

4.根据权利要求1所述的纳米银PET导电膜的智能变色膜，其特征在于，所述光学胶水层的厚度为50-100微米，所述光学胶水层的可见光透光率大于95％。

5.一种烘干装置，应用于纳米银PET导电膜的智能变色膜的制备，对调光晶体或光学胶水进行间歇循环烘烤，其特征在于，所述烘干装置包括：

第一烘箱，用于烘烤所述调光晶体或光学胶水；

第二烘箱，用于烘烤所述调光晶体或光学胶水；

保温筒，一端与所述第一烘箱连接，所述保温筒的另一端与所述第二烘箱连接；以及

传送机构，两端穿过所述保温筒，并且其中一端穿过所述第一烘箱，另一端设置于所述第二烘箱内，所述传送机构用于传输所述调光晶体或光学胶水；

其中，当所述烘干装置烘干所述调光晶体或光学胶水时，所述第一烘箱及所述第二烘箱依次对所述调光晶体或光学胶水进行烘烤。

6.根据权利要求5所述的烘干装置，其特征在于，所述烘干装置还包括：

密封板，与所述传送机构对应设置于所述第一烘箱上，所述密封板用于密封所述第一烘箱；以及

挡板，设置于所述第二烘箱上，并位于远离所述保温筒侧。