[实用新型]一种炉管及LPCVD设备

说明书

本实用新型公开了一种炉管及LPCVD设备，属于太阳能电池生产技术领域。LPCVD设备包括炉管。该炉管包括管体，管体内设置有进气管，进气管包括炉尾进气管和若干炉口进气管，炉尾进气管从管体的炉尾延伸至管体的中部，炉口进气管从管体的炉口延伸至管体的中部。炉口进气管以管体的中心轴线为中心呈环形均匀分布，炉口进气管的长度依次递减，炉尾进气管与最短的炉口进气管靠近。炉口进气管设置有若干炉口出气孔，炉口出气孔包括叉设置的第一孔和第二孔，第一孔的孔径大于第二孔的孔径。炉尾进气管设有若干炉尾出气孔，炉尾出气孔的孔径沿着炉尾至炉口的方向依次减小。本实用新型使得气体均匀分布于管体内，大大改善硅片之间和片内薄膜沉积的均匀性。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池生产技术领域，尤其涉及一种炉管及LPCVD设备。

背景技术

光伏发电是利用太阳光能使半导体电子器件有效地吸收太阳光辐射能，并使之转变成电能的直接发电方式，是当今太阳光发电的主流。当前，人们通常所说太阳光发电就是太阳能光伏发电，亦称太阳能电池发电。从目前的太阳能电池损失分析中，我们可以了解到，其中金属与半导体接触区域造成的损失是电池损失来源的主要部分。目前主要采用在硅片上沉积poly-si薄膜的方式改善金属接触区域的损失，通过这种技术既可以改善电池表面钝化又可以促进多数载流子传输，进而提升电池的开路电压和填充因子。

现有技术中通常采用LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压化学气相沉积)的方式生产poly-si，其中，LPCVD设备是在低压高温条件下，通过混合气体的化学反应生成固体反应物并使其沉积在硅片表面形成薄膜，属于化学气相沉积(CVD)设备当中的一种，该设备的核心在于CVD反应，也就是炉管内的沉积反应。为了进行该沉积反应，LPCVD设备常在炉管的炉口进气，炉尾进行抽气，然而这种方式在硅片上沉积poly-si时，经常出现炉口和炉尾沉积的poly-si偏薄、炉中硅片之间及片内沉积均匀性差异都较大的现象，严重影响电池效率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提出一种炉管及LPCVD设备，能够改善硅片沉积薄膜的均匀性。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种炉管，包括管体，所述管体的一端为炉口，另一端为炉尾，所述管体内设置有若干进气管，所述进气管包括至少一个炉尾进气管和若干炉口进气管，所述炉尾进气管从所述管体的炉尾沿平行于所述管体的中心轴线的方向延伸至所述管体的中部，所述炉口进气管从所述管体的炉口沿平行于所述管体的中心轴线的方向延伸至所述管体的中部；

若干所述炉口进气管以所述管体的中心轴线为中心呈环形均匀分布，若干所述炉口进气管的长度沿一方向依次递减，所述炉尾进气管的悬置端与最短的所述炉口进气管的悬置端靠近；

所述炉口进气管沿其长度方向设置有若干炉口出气孔，所述炉口出气孔包括第一孔和第二孔，所述第一孔的孔径大于所述第二孔的孔径，所述第一孔和所述第二孔交叉设置；

所述炉尾进气管沿其长度方向设有若干炉尾出气孔，所述炉尾出气孔的孔径沿着所述炉尾至所述炉口的方向依次减小。

作为优选，所述第一孔的孔径为所述第二孔的孔径的1.2-1.5倍，所述第一孔的孔径为2-4mm。

作为优选，所述炉口进气管上相邻的所述第一孔和所述第二孔之间的中心距离为25-35mm。

作为优选，设定第i个所述炉口进气管3的长度为S，则

其中，i＝1、2、3…N，L为管体的长度，N为所述炉口进气管的个数。

作为优选，所述炉口进气管有四个，四个所述炉口进气管的长度分别为5/7L、4/7L、3/7L、2/7L。