[实用新型]芯片封装、智能功率模块及空调器有效

专利信息
申请号: 201920847102.5 申请日: 2019-06-05
公开(公告)号: CN210129509U 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 张宇新;冯宇翔 申请(专利权)人: 广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 唐文波
地址: 528311 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 智能 功率 模块 空调器
【说明书】:

实用新型公开一种芯片封装、智能功率模块及空调器,该芯片封装包括:安装基板;低热阻多层薄膜绝缘层,设置于安装基板上;芯片,设置于低热阻多层薄膜绝缘层上。本实用新型解决单层绝缘层结构中存在的缺陷、缝隙等使得芯片长在时间工作或者一些极端条件下,使得绝缘电阻下降,导致芯片失效或者损坏的问题。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域,特别涉及一种芯片封装、智能功率模块及空调器。

背景技术

在芯片封装中,安装芯片的薄膜层通常采用的是单层的氮化铝、氧化铝等陶瓷薄膜材料,在芯片长时间工作或者在一些极端条件下,单层薄膜中的孔洞、缝隙等缺陷在使用中进一步扩大使得芯片的绝缘电阻降低以及芯片失效。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种芯片封装、智能功率模块及空调器,旨在解决单层绝缘层结构中存在的缺陷、缝隙等使得芯片长在时间工作或者一些极端条件下,使得绝缘电阻下降,导致芯片失效或者损坏的问题。

为实现上述目的,本实用新型提出一种芯片封装,所述芯片封装包括:

安装基板;

低热阻多层薄膜绝缘层,设置于所述安装基板上;

芯片,设置于所述低热阻多层薄膜绝缘层上。

可选地,所述低热阻多层薄膜绝缘层包括依次设置于所述安装基板上的NiCrAlY过渡层、AlN绝缘层、晶态YSZ层、非晶态YSZ层及导电焊垫层。

可选地,所述导电焊垫层为铝薄膜层或者铜薄膜层。

可选地,所述芯片的数量为多个,

所述导电焊垫层在所述非晶态YSZ层上设置有多个焊垫,以供多个所述芯片对应焊接安装。

可选地,多个所述芯片为IGBT芯片、FRD芯片、驱动芯片中的一种或者多种组合。

可选地,所述安装基板为铝基板。

可选地,所述芯片封装还包括引脚,所述引脚设置于所述低热阻多层薄膜绝缘层上,且通过金属线与所述芯片电连接。

可选地,所述芯片封装还包括对所述安装基板、低热阻多层薄膜绝缘层及所述芯片进行封装的封装壳体。

本实用新型还提出一种智能功率模块,所述智能功率模块包括如上所述的芯片封装。

本实用新型一种空调器,包括如上所述的芯片封装,或者包括如上所述的智能功率模块。

本实用新型通过在安装基板上设置低热阻多层薄膜绝缘层上后,将芯片设置于待焊接处,从而将芯片焊接于低热阻多层薄膜绝缘层上,使得芯片、低热阻多层薄膜绝缘层与安装基板之间形成于一体,相较于在基板上依次形成单层绝缘层和电路布线层(焊盘)的封装方式,本实用新型薄膜绝缘层采用多层结构来实现,使得不同材料表界面处的孔洞和裂缝相互被填充,减少了整个绝缘层的漏电通道;将芯片直接焊接与该绝缘层上,使得芯片在较高的温度环境下依然具有良好的电绝缘性能,保证芯片可在极端环境或长工作时间下正常运行,符合功率半导体芯片大功率、高集成度的发展趋势。本实用新型解决了单层绝缘层结构中存在的缺陷、缝隙等使得芯片长在时间工作或者一些极端条件下,使得绝缘电阻下降,导致芯片失效或者损坏的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型芯片封装一实施例的结构示意图;

图2为本实用新型芯片封装一实施例的结构示意图;

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