[实用新型]一种硅二极管银凸点电极的制作设备有效
申请号: | 201920867755.X | 申请日: | 2019-06-10 |
公开(公告)号: | CN209675240U | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 刘明;王慧;陈震 | 申请(专利权)人: | 扬州晶新微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;C25D7/12;C25D17/02 |
代理公司: | 11212 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄启兵<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 225000*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电镀 银凸点 二极管芯片 电极板 探针组 本实用新型 电镀电源 支撑装置 电镀槽 电镀技术领域 工作效率 光刻腐蚀 硅二极管 气泡产生 制作设备 光刻胶 正负极 电极 槽口 返工 生产成本 半导体 相抵 腐蚀 节约 生长 支撑 申请 | ||
1.一种硅二极管银凸点电极的制作设备,其特征在于:包括电镀槽、支撑装置、探针组、鼓液装置、电极板和电镀电源,所述支撑装置设置在电镀槽口,用于支撑待电镀的二极管芯片,所述鼓液装置和电极板均设置在所述电镀槽内部,所述探针组设置在所述待电镀的二极管芯片上方,且与待电镀的二极管芯片相抵,所述电镀电源正负极分别与所述电极板和探针组相连;还包括与电镀槽同轴心设置的电镀外槽,所述电镀外槽设置在所述电镀槽外部,用于接住所述电镀槽内溢出的电镀液,且与所述电镀槽内部贯通。
2.根据权利要求1所述的一种硅二极管银凸点电极的制作设备,其特征在于:所述支撑装置包括台面环和支撑立柱,所述台面环呈喇叭口型且上宽下窄,所述台面环下部套接在所述电镀槽口上,所述台面环的上部边缘设置有若干缺口,所述支撑立柱竖直设置在所述台面环上,所述支撑立柱顶端用于支撑所述待电镀的二极管芯片。
3.根据权利要求2所述的一种硅二极管银凸点电极的制作设备,其特征在于:所述支撑立柱包括不少于三根的第一立柱,所述第一立柱以所述台面环的中心轴线与水平面的交点为圆心呈圆周均布。
4.根据权利要求3所述的一种硅二极管银凸点电极的制作设备,其特征在于:所述支撑立柱还包括不少于三根的第二立柱,所述第二立柱以所述台面环的中心轴线与水平面的交点为圆心呈圆周均布,且所述第二立柱和第一立柱均匀间隔设置,所述第二立柱到所述台面环的中心轴线的距离大于所述第一立柱到所述台面环中心轴线的距离。
5.根据权利要求4所述的一种硅二极管银凸点电极的制作设备,其特征在于:所述第二立柱顶端高于所述第一立柱顶端,所述第一立柱顶端与所述台面环的上边缘齐平。
6.根据权利要求1所述的一种硅二极管银凸点电极的制作设备,其特征在于:所述探针组与所述电极板之间还连接有电流调节装置、开关及电流表。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造